[发明专利]功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：多个SiC MOSFET芯片、覆金属绝缘陶瓷衬底以及设置在所述覆金属绝缘陶瓷衬底中心处的第一功率金属箔片和第二功率金属箔片；

其中，所述覆金属绝缘陶瓷衬底的上层和下层分别为第一导电金属层和第二导电金属层，中间层为陶瓷层，所述第一导电金属层上设置有上桥臂单元和下桥臂单元；

所述多个SiC MOSFET芯片焊接在所述第一导电金属层，其中，所述上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的数量与所述下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的数量相同；

所述第一功率金属箔片内部设置有第一信号金属箔片，所述下桥臂单元上配置的SiCMOSFET芯片的栅极信号的第一金属线均汇集在所述第一信号金属箔片内，并且紧密排布；

所述第二功率金属箔片内部设置有第二信号金属箔片，所述上桥臂单元上配置的SiCMOSFET芯片的栅极信号的第二金属线均汇集在所述第二信号金属箔片内，并且紧密排布，其中，还包括信号端子，其中，所述第一功率金属箔片内部还设置有第三信号金属箔片，其中，所述第三信号金属箔片围绕在所述第一信号金属箔片周边，所述第一信号金属箔片和所述第三信号金属箔片上均设置有第一信号端子焊接区和第一金属线超声键合区，所述第三信号金属箔片通过第三金属线与所述下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的源极相连，形成Kelvins连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述覆金属绝缘陶瓷衬底呈矩形，且所述覆金属绝缘陶瓷衬底的四角均进行倒角处理。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括功率端子，其中，所述第一功率金属箔片在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底边缘的长边设置有第一功率端子超声焊接区域；所述第二功率金属箔片在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底边缘的长边设置有第二功率端子超声焊接区域，并且所述第二功率金属箔片在靠近所述第一功率金属箔片处设置有装载所述下桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的焊接区。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二功率金属箔片内部还设置有第四至第六信号金属箔片，其中，

第四信号金属箔片围绕在所述第二信号金属箔片周边，所述第二信号金属箔片和所述第四信号金属箔片上均设置有第二金属线超声键合区，所述第四信号金属箔片通过第四金属线与所述上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的源极相连，形成Kelvins连接；

第五信号金属箔片和第六信号金属箔片上均设置有第二信号端子焊接区和第三金属线超声键合区，所述第五信号金属箔片通过第五金属线与所述第二信号金属箔片相连，所述第六信号金属箔片通过第六金属线与所述第四信号金属箔片相连。

5.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括第三功率金属箔片和第四功率金属箔片，其中，所述第三功率金属箔片和所述第四功率金属箔片设置在所述覆金属绝缘陶瓷衬底的两侧，所述第三功率金属箔片和所述第四功率金属箔片在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底边缘的短边设置有第三功率端子超声焊接区域，并且在另一边设置有装载所述上桥臂单元上配置的SiC MOSFET芯片的焊接区。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括热敏电阻，其中，所述第三功率金属箔片或所述第四功率金属箔片内设置有对称设计的第七信号金属箔片和第八信号金属箔片，所述第七信号金属箔片和所述第八信号金属箔片分别设置有第一热敏电阻焊接区和第二热敏电阻焊接区，所述第一热敏电阻焊接区和第二热敏电阻焊接区分别与所述热敏电阻两端的导电引脚相连。

7.根据权利要求6 所述的功率半导体器件，其特征在于，第一至第四功率金属箔片以及所述第七信号金属箔片和所述第八信号金属箔片上在靠近所述覆金属绝缘陶瓷衬底边缘的位置均设置有应力释放孔。