[发明专利]功率器件制作方法和功率器件结构

说明书

本发明公开了一种功率器件制作方法，包括：在衬底上按设计工艺形成第一类型外延、第二类型体区、第一类型注入区、多晶硅填充沟槽和层间电介质层，并打开接触孔；形成阻挡层并快速热处理；去除部分阻挡层，仅保留与第二类型体区和第一类型注入区相邻的阻挡层；沉积金属杂质吸附层填满接触孔作为接触孔引出结构；金属杂质吸附层回刻，仅保留接触孔中的金属杂质吸附层；形成金属层。本发明利用多晶硅的晶界，重掺杂磷多晶硅和多晶硅/氧化硅界面的晶格失配，起到正面吸杂的作用能避免金属杂质离子迁移，能提升产品可靠性。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种功率器件制作方法和。本发明还涉及一种功率器件结构。

背景技术

功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设；网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备；消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品；工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。

功率器件工作在高压大电流条件下，在高温高压影响下，工艺加工过程中引入的金属杂质离子容易迁移到SI/SIO2界面造成氧化膜质量变差或异常反型区域导致电参数漂移，进而影响器件可靠性。

8寸晶圆的ILD中有BPSG膜层进行吸杂，12寸晶圆ILD因为工程制成的兼容性没有与8寸一致的BPSG膜层起到同样的吸杂效果，因此存在金属杂质离子迁移的可能性，12寸晶圆ILD可靠性需要更为复杂的膜层结构进行改善。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种基于12寸晶圆ILD工艺功率器件能避免金属杂质离子迁移的功率器件制作方法。

相应的，本发明还提供了一种基于12寸晶圆ILD工艺的能避免金属杂质离子迁移的功率器件结构。

为解决上述技术问题，本发明提供的功率器件制作方法，包括以下步骤：

下述步骤可基于现有工艺实现，各工厂根据实际工艺略有不同，任意一种现有工艺不影响本发明的最终效果；

S1)在衬底上按设计工艺形成第一类型外延、第二类型体区、第一类型注入区、多晶硅填充沟槽和层间电介质层，并打开接触孔；S2)形成阻挡层并快速热处理；

S3)去除部分阻挡层，仅保留与第二类型体区和第一类型注入区相邻的阻挡层；

S4)沉积金属杂质吸附层填满接触孔作为接触孔引出结构；

S5)金属杂质吸附层回刻，仅保留接触孔中的金属杂质吸附层；

S6)形成金属层。

可选择的，进一步改进所述的功率器件制作方法，第一类型是N型，第二类型是P型。

可选择的，进一步改进所述的功率器件制作方法，第一类型重掺杂的多晶硅是N型重掺磷多晶硅。

可选择的，进一步改进所述的功率器件制作方法，阻挡层是钛层，金属层是氮化钛层，层间电介质层是氮化硅层。

可选择的，进一步改进所述的功率器件制作方法，金属层是铝铜合金层。

为解决上述技术问题，本发明提供一种功率器件结构，包括：