[发明专利]功率器件制作方法和功率器件结构有效
| 申请号： | 202110467209.9 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113224003B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈正嵘 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制作方法 结构 | ||
1.一种功率器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1）在衬底上按设计工艺形成第一类型外延、第二类型体区、第一类型注入区、多晶硅填充沟槽和层间电介质层，并打开接触孔；
S2）形成阻挡层并快速热处理；
S3）去除部分阻挡层，仅保留与第二类型体区和第一类型注入区相邻的阻挡层；
S4）沉积金属杂质吸附层填满接触孔作为接触孔引出结构；
S5）金属杂质吸附层回刻，仅保留接触孔中的金属杂质吸附层；
S6）形成金属层；
其中，层间电介质层包括PECVD工艺的NSG和SACVD工艺的NSG。
2.如权利要求1所述的功率器件制作方法，其特征在于：第一类型是N型，第二类型是P型。
3.如权利要求2所述的功率器件制作方法，其特征在于：金属杂质吸附层是N型重掺磷多晶硅。
4.如权利要求1所述的功率器件制作方法，其特征在于：阻挡层是钛层，金属层是氮化钛层，层间电介质层是氮化硅层。
5.如权利要求4所述的功率器件制作方法，其特征在于：金属层是铝铜合金层。
6.一种功率器件结构，包括：
形成于衬底上的第一类型外延，形成在衬底中的两个沟槽之间的第二类型体区，沟槽内填充多晶硅，形成在两个沟槽之间的第二类型体区上的第一类型注入区，将第二类型体区引出的接触孔，形成在沟槽和第一类型注入区上位于接触孔两侧的层间电介质层，形成在接触孔和层间电介质层上的金属层，其特征在于：
阻挡层，其仅形成在第二类型体区和第一类型注入区相邻的接触孔侧壁；
沉积金属杂质吸附层填满接触孔，其作为接触孔引出结构；
其中，层间电介质层包括PECVD工艺的NSG和SACVD工艺的NSG。
7.如权利要求6所述的功率器件结构，其特征在于：第一类型是N型，第二类型是P型。
8.如权利要求7所述的功率器件结构，其特征在于：金属杂质吸附层是N型重掺磷多晶硅。
9.如权利要求6所述的功率器件结构，其特征在于：阻挡层是钛层，金属层是氮化钛层，层间电介质层是氮化硅层。
10.如权利要求9所述的功率器件结构，其特征在于：金属层是铝铜合金层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
