[发明专利]一种大电流半导体功率器件在审
申请号: | 202110457215.6 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113327897A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 龚小华 | 申请(专利权)人: | 龚小华 |
主分类号: | H01L23/16 | 分类号: | H01L23/16;H01L23/495 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362100 *** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 半导体 功率 器件 | ||
本发明公开了一种大电流半导体功率器件,其结构包括底座、栅级、绝缘基板、元件、护罩、搁架,底座上连接有栅级,栅级上连接有护罩,护罩上连接在绝缘基板,且护罩外部设置有元件和搁架,在助力组件上设置有导吸装置和旋引结构,利用导吸装置和旋引结构在压套上相配合,当在间隙较窄处被过滤封堵而分层流动时,将会先通过导吸装置按压至压套外圆周上,使得压套完全收合在定架内部,以致于中部旋引结构内的气压随之改变,加强且配合导吸装置一起对该间隙内的焊料进行搅和和向下引导,保证焊料填充效果。
技术领域
本发明涉及大功率半导体器件领域,特别的,是一种大电流半导体功率器件。
背景技术
功率半导体封装已随着印刷电路板技术的发展而从通孔向表面安装封装发展。表面安装封装总体包括引线框架,半导体芯片被安装在该引线框架上。半导体器件和引线框的一部分通常用树脂材料密封;现有的大电流半导体功率器件。
在栅级与半导体元件之间的未设置焊料的部分处,会形成难以填充的狭窄间隙,一般是让焊料自然浸润进入该间隙,但是由于焊料为多种颗粒组成,在该间隙内过度地润湿延展时,将会在缝隙较窄处开始过滤而分层流动,使得栅级与半导体元件之间的间隙给与焊料的流动空间越来越小,以致于间隙区间填充的焊料成分不一,甚至在这之间产生气体隔阂,影响焊料填充效果。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种大电流半导体功率器件,其结构包括底座、栅级、绝缘基板、元件、护罩、搁架,所述底座上连接有栅级,所述栅级上连接有护罩,所述护罩上连接在绝缘基板,且护罩外部设置有元件和搁架,所述搁架包括连框、滚球、弹簧、焊盘、助力组件、定架,所述连框连接在栅级和元件之间,且连接有焊盘,所述焊盘通过弹簧连接有定架,所述定架内部滚动配合有滚球,所述滚球之间安装有助力组件。
作为本发明的进一步改进,所述助力组件包括导吸装置、绷托、触插板、旋引结构、压套,所述导吸装置安装在绷托上,所述绷托通过触插板连接在压套上,且过渡配合在连框上,所述触插板等距分布在旋引结构上。
作为本发明的进一步改进,所述压套通过滚球滑动配合在定架上,辅助导吸装置能够伸缩自如的来回支撑住元件,保证结构的灵活性。
作为本发明的进一步改进,所述导吸装置包括拢合件、弹夹、置重板、扇片,所述拢合件通过置重板活动卡合在绷托上,所述置重板连接在弹夹上,所述弹夹与扇片间接配合在一起,且滚动配合在绷托上。
作为本发明的进一步改进,所述拢合件包括转换台、侧翼、转轴、引拖板、渡扣,所述转换台上均通过渡扣连接有侧翼,且连接在弹夹上,所述渡扣上连接有引拖板,所述转轴滚动配合在绷托上。
作为本发明的进一步改进,所述引拖板通过转轴内部活动卡合有扇片,使得绷托上的焊料能被加快引导向下,增强焊料的流动性。
作为本发明的进一步改进,所述旋引结构包括嵌扣、存储孔、吸拧件、通气圈,所述存储孔通过通气圈连接在压套上,所述通气圈上设置有吸拧件,且底部连接有嵌扣,所述嵌扣连接在弹簧上。
作为本发明的进一步改进,所述吸拧件包括张网、弧卡、间隔板、空盘、推板,所述张网连接在弧卡和推板之间,所述弧卡和推板通过间隔板在空盘上转动配合,所述空盘连接在通气圈上
有益效果
与现有技术相比,本发明的有益效果:
1、本发明在助力组件上设置有导吸装置和旋引结构,利用导吸装置和旋引结构在压套上相配合,当在间隙较窄处被过滤封堵而分层流动时,将会先通过导吸装置按压至压套外圆周上,使得压套完全收合在定架内部,以致于中部旋引结构内的气压随之改变,加强且配合导吸装置一起对该间隙内的焊料进行搅和和向下引导,保证焊料填充效果。
2、本发明通过侧翼的逐渐转动垂直下,会产生一定的位移偏差而扩大扇片的活动空间,搅和焊料的分层和气体隔阂,提高之间焊料的通过量,避免焊料滞留在该间隙较窄处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于龚小华,未经龚小华许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110457215.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。