[发明专利]一种遮挡板、蒸镀设备及制作高梯度膜层的制备方法

权利要求书

1.一种遮挡板，其特征在于，包括：一圆形遮挡板本体，在所述遮挡板本体上包括至少一个开口区域，所述开口区域允许蒸发分子穿过遮挡板本体；

所述开口区域的弧度自所述遮挡板本体中心处向外边沿逐渐变大。

2.根据权利要求1所述的一种遮挡板，其特征在于，所述开口区域包括第一边界和第二边界，所述第一边界呈直线结构，自所述遮挡板本体的中心处至外边沿向外延伸，所述第二边界呈弧线结构，圆弧半径为2～5cm之间，自所述遮挡板本体的中心处至外边沿向外延伸。

3.根据权利要求1所述的一种遮挡板，其特征在于，远离所述遮挡板本体中心处的所述开口区域的弧度b大于靠近所述遮挡板本体中心处的所述开口区域的弧度a，弧度b与弧度a之比为3:2到3:1之间。

4.根据权利要求1所述的一种遮挡板，其特征在于，当所述开口区域为多个时，所述开口区域均匀分布在所述遮挡板本体上。

5.根据权利要求1所述的一种遮挡板，其特征在于，在所述遮挡板本体的外侧设有边缘，将所述开口区域的包覆于所述边缘之内。

6.根据权利要求1所述的一种遮挡板，其特征在于，所述遮挡板本体的材质包括金属。

7.一种蒸镀设备，其特征在于，包括：

基板，始终处于静止状态；

蒸发源，位于基板的下方；

如权利要求1-6任意一项权利要求所述的遮挡板，所述遮挡板位于所述蒸发源的上方，并固定在一动力机构的转轴上，所述遮挡板的开口区域的远端边界位于所述蒸发源中心的竖直方向，所述遮挡板在动力机构的驱动下旋转，并使从所述蒸发源中蒸发出来的蒸发分子按比例通过所述遮挡板上的开口区域，蒸镀沉积到所述基板的表面。

8.根据权利要求7所述的一种蒸镀设备，其特征在于，所述基板为圆形结构的硅晶板，或者

所述基板为长方形结构的硅晶板。

9.根据权利要求7所述的一种蒸镀设备，其特征在于，在竖直方向上，所述蒸发源的中心处与所述基板的边缘相对应。

10.根据权利要求7所述的一种蒸镀设备，其特征在于，所述蒸发源包括主蒸发源和掺杂蒸发源，所述遮挡板位于主蒸发源或掺杂蒸发源的上方；或者

所述遮挡板分别位于主蒸发源和掺杂蒸发源的上方。

11.一种制作高梯度膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将基板置于蒸发源的上方，并保持静止状态；

所述蒸发源位于所述基板的下方，且在竖直方向上，所述蒸发源的中心处与所述基板的边缘相对应；

在所述蒸发源的上方置有如权利要求1-6任意一项权利要求所述的遮挡板，使穿过所述遮挡板的开口区域的蒸发分子的成线性分布；

启动蒸发直至完成蒸镀工艺，即得具有梯度膜层的器件。

12.根据权利要求11所述的一种制作高梯度膜层的制备方法，其特征在于，完成蒸镀后器件，靠近所述蒸发源一侧膜层A部的厚度大于远离所述蒸发源一侧膜层B部的厚度，所述A部和B部之间的膜层厚度成线性变化。