[发明专利]功率放大器、功率放大电路、功率放大设备

说明书

提供一种功率放大器、功率放大电路、功率放大设备，抑制无功电流的变动。功率放大器(100)具备形成在半导体基板(303)上的晶体管(101)、晶体管(102)、晶体管(103)、以及凸块，该凸块与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在半导体基板(303)的俯视下，与配置晶体管(101)的配置区域(A1)、配置晶体管(102)的配置区域(A2)、以及配置晶体管(103)的配置区域(A3)重叠。

技术领域

本发明涉及功率放大器、功率放大电路及功率放大设备。

背景技术

功率放大设备被用于移动体通信中的无线电频率(Radio Frequency：RF)信号的放大。功率放大设备通过在模块基板上安装将具有功率放大器的功率放大电路设置于半导体基板所得到的半导体芯片而构成。在功率放大电路被倒装芯片安装于模块基板的情况下，在晶体管被施加应力。关于向晶体管施加的应力，在专利文献1中，公开了一种在晶体管动作时缓和因发射极层与柱状凸块的热膨胀率之差而引起的热应力的半导体装置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第5967317号公报

发明内容

发明要解决的课题

例如当通过回流试验对功率放大电路施加热时，产生因热膨胀率之差引起的热应力。即便在去除了热之后，在功率放大电路中也残留有因热应力引起的应力。当因热应力引起的应力被施加于功率放大电路的功率放大器的晶体管时，晶体管的特性发生变动。通过晶体管的特性变动，向无信号时的晶体管流动的电流即无功电流发生变动。

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种抑制无功电流的变动的功率放大器。

用于解决课题的手段

本发明的一方面的功率放大器具备：第一晶体管，其形成在半导体基板上；第二晶体管，其形成在半导体基板上，基极被供给作为控制电流的一部分的第一电流，并且向第一晶体管供给第二电流，该第二电流是基于第一电流的偏置电流的一部分；第三晶体管，其形成在半导体基板上，被供给作为控制电流的一部分的第三电流和作为偏置电流的一部分的第四电流，第三电流伴随着所施加的应力的增加而减少；以及金属构件，其与第一晶体管的发射极电连接，设置为在半导体基板的俯视下，与配置第一晶体管的第一配置区域、配置第二晶体管的第二配置区域、以及配置第三晶体管的第三配置区域重叠。

发明效果

根据本发明，能够提供抑制无功电流的变动的功率放大器。

附图说明

图1是本实施方式的功率放大器的电路图。

图2是本实施方式的功率放大电路的电路图。

图3是本实施方式的功率放大电路的示意性布局图。

图4是本实施方式的功率放大电路中的功率放大器的剖视图。

图5是本实施方式的功率放大电路中的功率放大器的剖视图。

图6是示出本实施方式的功率放大电路中的无功电流的图。

图7是对本实施方式的功率放大电路的特性进行说明的图。

图8是示出本实施方式的功率放大电路中的无功电流的图。

图9是示出本实施方式的功率放大电路中的无功电流的图。

图10是示出本实施方式的功率放大电路的另一示意性布局图。

图11是本实施方式的功率放大设备的剖视图。

附图标记说明