[发明专利]功率放大器、功率放大电路、功率放大设备在审

专利信息
申请号: 202110427630.7 申请日: 2021-04-20
公开(公告)号: CN113541617A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 岛本健一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李国华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率放大器 功率 放大 电路 设备
【权利要求书】:

1.一种功率放大器,具备:

第一晶体管,其形成在半导体基板上;

第二晶体管,其形成在所述半导体基板上,基极被供给作为控制电流的一部分的第一电流,并且向所述第一晶体管供给第二电流,该第二电流是基于所述第一电流的偏置电流的一部分;

第三晶体管,其形成在所述半导体基板上,被供给作为所述控制电流的一部分的第三电流和作为所述偏置电流的一部分的第四电流,所述第三电流伴随着所施加的应力的增加而减少;以及

金属构件,其与所述第一晶体管的发射极电连接,设置为在所述半导体基板的俯视下,与配置所述第一晶体管的第一配置区域、配置所述第二晶体管的第二配置区域以及配置所述第三晶体管的第三配置区域重叠。

2.一种功率放大电路,具备:

第一功率放大器,其是权利要求1所述的功率放大器;以及

第二功率放大器,其被输入第一信号,向所述第一功率放大器的所述第一晶体管输出所述第一信号被放大后的第二信号,

所述第一功率放大器输出所述第二信号被放大后的第三信号。

3.一种功率放大设备,具备:

半导体芯片,其具有权利要求1所述的功率放大器;以及

模块基板,其安装所述半导体芯片,

所述模块基板具有与所述半导体芯片的所述金属构件接合的接合部。

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