[发明专利]一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法有效
申请号: | 202110378750.2 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN112951874B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 钱新;肖晓雨;陈桂;晏雅媚;朱文辉 | 申请(专利权)人: | 长沙安牧泉智能科技有限公司;中南大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人: | 李喆 |
地址: | 410006 湖南省长沙市长沙高新开发区*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 micro led 柔性 互连 可靠性 方法 | ||
本发明提供了一种提高micro‑led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将一个Micro‑led大阵列中的像素点划分为多个Micro‑led小阵列,其中,每个像素点对应一个金属凸点,每个小阵列的凸点通过得重布线技术在电路上互相连通;步骤2:将Micro‑led与CMOS进行倒装互连,其中,一个Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点互连。本发明将一组Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点进行互连,即一种1对n的互连方式,使这一小阵列中只要有一个金属凸点与CMOS像素点实现导通即可点亮这一小阵列内所有Micro‑led像素点。更好地实现柔性显示,同时提高了金属凸点倒装工艺的可靠性,保障了Micro‑led器件显示的稳定性。
技术领域
本发明涉及micro-led金属凸点倒装互连技术领域,特别涉及一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法。
背景技术
Micro-led即微型发光二极管,LED微缩化和矩阵化技术。在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,LED显示屏每一个点像素可定址、单独驱动点亮,这一技术的发展应用可极大程度上的提高LED设备的分辨率。
Micro-led一般由LED芯片和驱动基板集成互连而成。首先在LED芯片上制作金属凸点,在驱动基板上制作对应的UBM(焊点下金属层),再通过倒装焊接技术,
Micro-led需要将每一个像素点与CMOS基板实现互连从而实现整体芯片的点亮,互连的方式主要有金属凸点倒装互连和引线键合两种,由于倒装互连技术所需封装体积较小,为了实现Micro-led的小型化和精密化,倒装技术成为现在研究发展的重点方向,但由于技术的限制,高密度凸点在受热加压的情况下容易发生膨胀变形,导致互连失效,因此,现阶段10微米及以下的金属凸点倒装技术难以达到较高的良率。
发明内容
本发明提供了一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其目的是为了提高micro-led倒装互连的可靠性和micro-led设备的柔性化显示,同时,实现微小尺寸的金属凸点倒装互连。
为了达到上述目的,本发明提供了一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,包括以下步骤:
步骤1:将一个Micro-led大阵列中的像素点划分为多个Micro-led小阵列,其中,每个像素点对应一个金属凸点,每个小阵列的凸点通过重布线技术在电路上互相连通。
步骤2:将Micro-led与CMOS进行倒装互连,其中,一个Micro-led小阵列与一个CMOS像素点互连。
优选地,所述Micro-led小阵列为AXB阵列,所述A,B为大于等于1的整数。
优选地,所述AXB阵列中,A=3、4、5,B=3、4、5。
优选地,所述像素点的边长为10~200μm。
优选地,所述Micro-led小阵列边长为10~600μm。
优选地,所述金属凸点为Micro-led芯片上生长金属铜、金、锡、铟中的一种或几种而得。
优选地,所述凸点之间的间距为10~20um。
优选地,所述一个Micro-led小阵列与一个CMOS像素点面积相同。
优选地,所述步骤2中,倒装互连方式为热压焊。
优选地,所述热压焊的温度为80~320℃,压力:1~20g/个凸点,压力作用时间为10~120s。
本发明的上述方案有如下的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的