[发明专利]一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法有效

专利信息
申请号: 202110378750.2 申请日: 2021-04-08
公开(公告)号: CN112951874B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 钱新;肖晓雨;陈桂;晏雅媚;朱文辉 申请(专利权)人: 长沙安牧泉智能科技有限公司;中南大学
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/62
代理公司: 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 代理人: 李喆
地址: 410006 湖南省长沙市长沙高新开发区*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 micro led 柔性 互连 可靠性 方法
【说明书】:

发明提供了一种提高micro‑led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将一个Micro‑led大阵列中的像素点划分为多个Micro‑led小阵列,其中,每个像素点对应一个金属凸点,每个小阵列的凸点通过得重布线技术在电路上互相连通;步骤2:将Micro‑led与CMOS进行倒装互连,其中,一个Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点互连。本发明将一组Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点进行互连,即一种1对n的互连方式,使这一小阵列中只要有一个金属凸点与CMOS像素点实现导通即可点亮这一小阵列内所有Micro‑led像素点。更好地实现柔性显示,同时提高了金属凸点倒装工艺的可靠性,保障了Micro‑led器件显示的稳定性。

技术领域

本发明涉及micro-led金属凸点倒装互连技术领域,特别涉及一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法。

背景技术

Micro-led即微型发光二极管,LED微缩化和矩阵化技术。在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,LED显示屏每一个点像素可定址、单独驱动点亮,这一技术的发展应用可极大程度上的提高LED设备的分辨率。

Micro-led一般由LED芯片和驱动基板集成互连而成。首先在LED芯片上制作金属凸点,在驱动基板上制作对应的UBM(焊点下金属层),再通过倒装焊接技术,

Micro-led需要将每一个像素点与CMOS基板实现互连从而实现整体芯片的点亮,互连的方式主要有金属凸点倒装互连和引线键合两种,由于倒装互连技术所需封装体积较小,为了实现Micro-led的小型化和精密化,倒装技术成为现在研究发展的重点方向,但由于技术的限制,高密度凸点在受热加压的情况下容易发生膨胀变形,导致互连失效,因此,现阶段10微米及以下的金属凸点倒装技术难以达到较高的良率。

发明内容

本发明提供了一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其目的是为了提高micro-led倒装互连的可靠性和micro-led设备的柔性化显示,同时,实现微小尺寸的金属凸点倒装互连。

为了达到上述目的,本发明提供了一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,包括以下步骤:

步骤1:将一个Micro-led大阵列中的像素点划分为多个Micro-led小阵列,其中,每个像素点对应一个金属凸点,每个小阵列的凸点通过重布线技术在电路上互相连通。

步骤2:将Micro-led与CMOS进行倒装互连,其中,一个Micro-led小阵列与一个CMOS像素点互连。

优选地,所述Micro-led小阵列为AXB阵列,所述A,B为大于等于1的整数。

优选地,所述AXB阵列中,A=3、4、5,B=3、4、5。

优选地,所述像素点的边长为10~200μm。

优选地,所述Micro-led小阵列边长为10~600μm。

优选地,所述金属凸点为Micro-led芯片上生长金属铜、金、锡、铟中的一种或几种而得。

优选地,所述凸点之间的间距为10~20um。

优选地,所述一个Micro-led小阵列与一个CMOS像素点面积相同。

优选地,所述步骤2中,倒装互连方式为热压焊。

优选地,所述热压焊的温度为80~320℃,压力:1~20g/个凸点,压力作用时间为10~120s。

本发明的上述方案有如下的有益效果:

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