[发明专利]一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法有效
申请号: | 202110378750.2 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN112951874B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 钱新;肖晓雨;陈桂;晏雅媚;朱文辉 | 申请(专利权)人: | 长沙安牧泉智能科技有限公司;中南大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人: | 李喆 |
地址: | 410006 湖南省长沙市长沙高新开发区*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 micro led 柔性 互连 可靠性 方法 | ||
1.一种提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将一个Micro-led大阵列中的像素点划分为多个Micro-led小阵列,其中,每个像素点对应一个金属凸点,每个小阵列的凸点通过重布线技术在电路上互相连通;
步骤2:将Micro-led与CMOS进行倒装互连,其中,一个Micro-led小阵列与一个CMOS像素点互连;
其中,金属凸点由在Micro-led芯片上生长金属而得,并在金属凸点下方通过重布线技术使这一组Micro-led小阵列在电路上达成互相连通;所述一个Micro-led小阵列与一个CMOS像素点面积相同;倒装互连方式为热压焊;所述热压焊的温度为80~320℃,压力:1~20g/个凸点,压力作用时间为10~120s。
2.根据权利要求1所述的提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,所述Micro-led小阵列为A× B阵列,所述A,B为大于1的整数。
3.根据权利要求2所述的提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,所述A× B阵列中,A=3、4、5,B=3、4、5。
4.根据权利要求1所述的提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,所述像素点的边长为10~200μm。
5.根据权利要求1所述的提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,所述Micro-led小阵列边长为10~600μm。
6.根据权利要求1所述的提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,所述金属凸点为Micro-led芯片上生长金属铜、金、锡、铟中的一种或几种而得。
7.根据权利要求1所述的提高micro-led柔性与互连可靠性的方法,其特征在于,所述凸点之间的间距为10~20μ m。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的