[发明专利]一种射频功率放大电路

说明书

本发明提供了一种射频功率放大电路，包括第一ESD保护节点、第一接地端和第二接地端，在所述第一ESD保护节点和所述第一接地端之间设有第一ESD保护电路；在所述第一接地端和所述第二接地端之间连接有第二ESD保护电路。本发明所射频功率放大电路，在第一ESD保护节点和第一接地端之间设置第一ESD保护电路、在第一接地端和第二接地端之间设置第二ESD保护电路，使得当ESD保护节点因静电而存在高电压时，不但可以通过第一ESD保护电路提供静电释放到地的通路，还能通过第二ESD保护电路提供流到另一条静电释放到地的通路，从而更有效地完成了静电释放，增强了ESD保护效果。

技术领域

本发明涉及射频功率放大技术领域，尤其涉及一种射频功率放大电路。

背景技术

射频功率放大器是各种无线通信应用中必不可少的关键部件，用于将收发信机输出的已调制的射频信号进行功率放大，以满足无线通信所需的射频信号功率需求。

但是，在射频功率放大电路中，射频功率放大器却很容易被击穿，原因通常为：一是集电极通常通过电感与电源相连，电感的谐振作用在晶体管集电极端会产生较高电压，从而导致射频功率放大器被击穿。二是在使用含有射频功率放大器的芯片过程中，通常因为人体静电而导致在芯片引脚上产生瞬时较高电压，从而导致芯片内部的射频功率放大器被击穿。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题是：提供一种射频功率放大电路，以有效实现静电释放保护，克服射频功率放大电路中晶体管容易被击穿的缺陷。

于是，本发明提供了一种射频功率放大电路，包括第一ESD保护节点、第一接地端和第二接地端，在所述第一ESD保护节点和所述第一接地端之间设有第一ESD保护电路；在所述第一接地端和所述第二接地端之间连接有第二ESD保护电路。

进一步地，上述射频功率放大电路，包括第一功率放大晶体管，所述第一功率放大晶体管的第一端被配置为接收第一射频信号，第二端被配置为输出放大后的第一射频信号，第三端与所述第一接地端连接；所述第一功率放大晶体管的第一端与所述第一ESD保护节点连接，或者，所述第一功率放大晶体管的第二端与所述第一ESD保护节点连接。

进一步地，上述射频功率放大电路，包括第一偏置电路，所述第一偏置电路包括第一偏置电源端和第一偏置晶体管，所述第一偏置电源端与所述第一偏置晶体管的第一端连接，以及通过第一分压电压和所述第一接地端连接，所述第一偏置晶体管的第二端与供电电源端连接，所述第一偏置晶体管的第一端与所述第一ESD保护节点连接，或者，所述第一偏置晶体管的第二端与所述第一ESD保护节点连接。

进一步地，上述射频功率放大电路，还包括第二功率放大晶体管，所述第二功率放大晶体管的第一端被配置为接收第二射频信号，第二端被配置为输出放大后的第二射频信号，第三端与所述第二接地端连接。所述第二功率放大晶体管的第一端与第二ESD保护节点连接，或者，所述第二功率放大晶体管的第二端与所述第二ESD保护节点连接；在所述第二ESD保护节点和所述第二接地端之间设有第三ESD保护电路。

进一步地，上述射频功率放大电路，还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二偏置电源端和第二偏置晶体管，所述第二偏置电源端与所述第二偏置晶体管的第一端连接，以及通过第二分压电压和所述第二接地端连接，所述第二偏置晶体管的第二端与供电电源端连接，所述第二偏置晶体管的第一端与所述第二ESD保护节点连接，或者，所述第二偏置晶体管的第二端与所述第二ESD保护节点连接；在所述第二ESD保护节点和所述第二接地端之间设有第三ESD保护电路。

进一步地，上述射频功率放大电路，还包括第三接地端，在与所述第一接地端和所述第三接地端之间连接有第四ESD保护电路。

所述第二ESD保护电路包括第一二极管阵列和第二二极管阵列，所述第一二极管阵列和所述第二二极管阵列反向并联连接。