[发明专利]一种射频功率放大电路

权利要求书

1.一种射频功率放大电路，其特征在于，包括第一ESD保护节点、第一接地端和第二接地端，在所述第一ESD保护节点和所述第一接地端之间设有第一ESD保护电路；在所述第一接地端和所述第二接地端之间连接有第二ESD保护电路。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，包括第一功率放大晶体管，所述第一功率放大晶体管的第一端被配置为接收第一射频信号，第二端被配置为输出放大后的第一射频信号，第三端与所述第一接地端连接；

所述第一功率放大晶体管的第一端与所述第一ESD保护节点连接，或者，所述第一功率放大晶体管的第二端与所述第一ESD保护节点连接。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，包括第一偏置电路，所述第一偏置电路包括第一偏置电源端和第一偏置晶体管，所述第一偏置电源端与所述第一偏置晶体管的第一端连接，以及通过第一分压单元和所述第一接地端连接，所述第一偏置晶体管的第二端与第一供电电源端连接；

所述第一偏置晶体管的第一端与所述第一ESD保护节点连接，或，所述第一偏置晶体管的第二端与所述第一ESD保护节点连接。

4.根据权利要求2或3所述的射频功率放大电路，其特征在于，还包括第二功率放大晶体管，所述第二功率放大晶体管的第一端被配置为接收第二射频信号，第二端被配置为输出放大后的第二射频信号，第三端与所述第二接地端连接。

5.根据权利要求4所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二功率放大晶体管的第一端与第二ESD保护节点连接，或者，所述第二功率放大晶体管的第二端与所述第二ESD保护节点连接；

在所述第二ESD保护节点和所述第二接地端之间设有第三ESD保护电路。

6.根据权利要求2或3所述的射频功率放大电路，其特征在于，还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二偏置电源端和第二偏置晶体管，所述第二偏置电源端与所述第二偏置晶体管的第一端连接，以及通过第二分压电压和所述第二接地端连接，所述第二偏置晶体管的第二端与第二供电电源端连接。

7.根据权利要求6所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二偏置晶体管的第一端与所述第二ESD保护节点连接，或者，所述第二偏置晶体管的第二端与所述第二ESD保护节点连接；

在所述第二ESD保护节点和所述第二接地端之间设有所述第三ESD保护电路。

8.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，还包括第三接地端，在与所述第一接地端和所述第三接地端之间连接有所述第四ESD保护电路。

9.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述第二ESD保护电路包括第一二极管阵列和第二二极管阵列，所述第一二极管阵列和所述第二二极管阵列反向并联连接。

10.根据权利要求9所述的射频功率放大电路，其特征在于，第一二极管阵列包括至少一个第一二极管，第二二极管阵列包括至少一个第二二极管，每一所述第一二极管之间串联连接，每一所述第二二极管之间串联连接。