[发明专利]一种大尺寸硅片双面抛光方法

说明书

本发明提供一种大尺寸硅片双面抛光方法，步骤包括：控制置于硅片上方的压盘压力，并选择相应粒径的粗抛液对所述硅片双面进行粗抛；再调整所述压盘压力，并选择相应粒径的精抛液对所述硅片双面进行精抛；所述粗抛液或所述精抛液经同一主管道通过所述压盘流至设于所述硅片双侧的上抛垫和下抛垫；所述精抛液至少包括多元醇类化合物；且所述粗抛液和所述精抛液均包括SiO₂和NH₄OH的混合液。本发明依次对硅片经过粗抛、精抛之后，再在硅片双面进行水膜处理，即可以完全清除硅片表面的黏着剂，清洗效果好；亦可获得0.5μm以内的平坦度。

技术领域

本发明属于半导体硅片抛光技术领域，尤其是涉及一种大尺寸硅片双面抛光方法。

背景技术

现有半导体抛光方法主要是单面抛光方式，这种仅适合如尺寸为4-8英寸的小尺寸硅片。随着太阳能硅片的大尺寸化的发展，对于12英寸以及超过12英寸的硅片而言，硅片的单面尺寸越大，其抛光的几何参数更不易控制；同时若再采用单面抛光的方式，不仅抛光效率低而且抛光质量难以保证，抛光后几何参数中的平坦度变化范围较大、一致性差，不符合标准要求，严重影响半导体硅片的加工。

发明内容

本发明提供一种大尺寸硅片双面抛光方法，解决了现有技术中大尺寸硅片平坦度变化范围大、一致性差、抛光效果不好、以及抛光效率低的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种大尺寸硅片双面抛光方法，步骤包括：

控制置于硅片上方的压盘压力，并选择相应粒径的粗抛液对所述硅片双面进行粗抛；

再调整所述压盘压力，并选择相应粒径的精抛液对所述硅片双面进行精抛；

所述粗抛液或所述精抛液经同一主管道通过所述压盘流至设于所述硅片双侧的上抛垫和下抛垫；

所述精抛液至少包括多元醇类化合物；

且所述粗抛液和所述精抛液均包括SiO₂和NH₄OH的混合液。

进一步的，所述粗抛液中SiO₂和NH₄OH混合液的粒径为30-100nm。

进一步的，所述精抛液粒径小于所述粗抛液粒径，并所述精抛液中SiO₂和NH₄OH混合液的粒径为10-40nm。

进一步的，所述粗抛液和所述精抛液的PH值相同且均为9-11。

进一步的，在粗抛时所述压盘的压力为1000-20000Kg。

进一步的，在精抛时所述压盘的压力为1000-20000Kg。

优选地，粗抛时所述压盘压力与精抛时所述压盘压力相同。

进一步的，所述上抛垫与所述下抛垫厚度相同，且均为有机高分子材料制成的结构。

进一步的，在粗抛之前还包括按照设定顺序上载所述硅片的步骤。

进一步的，在精抛之后还包括按照如所述上载步骤中所述的设定顺序进行下载所述硅片的步骤。

与现有技术相比，采用本发明设计的双面抛光方法，尤其适用于大尺寸半导体硅片的双面抛光，不仅抛光效果好，而且无需额外使用使用清洗剂去除硅片表面的黏着剂，只需依次对硅片经过粗抛、精抛之后，再在硅片双面进行水膜处理，即可以完全清除硅片表面的黏着剂，清洗效果好；亦可同时获得几何参数稳定的平坦度，且硅片双面的平坦度均被控制在0.5μm以内。

附图说明

图1是本发明一实施例的一种大尺寸硅片双面抛光装置的结构示意图；