[发明专利]一种大尺寸硅片双面抛光方法在审
| 申请号： | 202110286017.8 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113001379A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 祝斌;武卫;刘建伟;刘园;刘姣龙;裴坤羽;杨春雪;由佰玲;孙晨光;王彦君;常雪岩;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B27/00;B24B41/00;B24B41/06;B24B47/12;B24B57/02 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 硅片 双面 抛光 方法 | ||
1.一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，步骤包括：
控制置于硅片上方的压盘压力，并选择相应粒径的粗抛液对所述硅片双面进行粗抛；
再调整所述压盘压力，并选择相应粒径的精抛液对所述硅片双面进行精抛；所述粗抛液或所述精抛液经同一主管道通过所述压盘流至设于所述硅片双侧的上抛垫和下抛垫；
所述精抛液至少包括多元醇类化合物；
且所述粗抛液和所述精抛液均包括SiO2和NH4OH的混合液。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，所述粗抛液中SiO2和NH4OH混合液的粒径为30-100nm。
3.根据权利要求2所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，所述精抛液粒径小于所述粗抛液粒径，并所述精抛液中SiO2和NH4OH混合液的粒径为10-40nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，所述粗抛液和所述精抛液的PH值相同且均为9-11。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，在粗抛时所述压盘的压力为1000-20000Kg。
6.根据权利要求5所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，在精抛时所述压盘的压力为1000-20000Kg。
7.根据权利要求5或6所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，粗抛时所述压盘压力与精抛时所述压盘压力相同。
8.根据权利要求7所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，所述上抛垫与所述下抛垫厚度相同，且均为有机高分子材料制成的结构。
9.根据权利要求1-3、5-6、8任一项所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，在粗抛之前还包括按照设定顺序上载所述硅片的步骤。
10.根据权利要求9所述的一种大尺寸硅片双面抛光方法，其特征在于，在精抛之后还包括按照如所述上载步骤中所述的设定顺序进行下载所述硅片的步骤。
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