[发明专利]具有双引脚接口的多个功率管理集成电路和装置在审

专利信息
申请号: 202110227183.0 申请日: 2021-03-01
公开(公告)号: CN113342154A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 昔民植;李永勋;金敬来;李景洙;许峻豪 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F1/3203 分类号: G06F1/3203;G06F15/163
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李敬文
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 引脚 接口 功率 管理 集成电路 装置
【权利要求书】:

1.一种功率管理集成电路PMIC系统,包括:

主PMIC;以及

至少一个子PMIC,被配置为通过第一信号线和第二信号线与所述主PMIC通信,

所述第一信号线使用单个双向信号通知方案,并且所述第二信号线使用单个单向信号通知方案,

所述主PMIC被配置为在所述第一信号线上将功率状态信号发送到所述至少一个子PMIC,

所述至少一个子PMIC还被配置为基于所述功率状态信号来执行与功率状态信息和功率序列相关联的操作,并且

所述主PMIC还被配置为使用在所述第二信号线上发送到所述至少一个子PMIC的功率序列控制信号来控制所述至少一个子PMIC的所述功率序列。

2.根据权利要求1所述的PMIC系统,其中,所述主PMIC包括:

第一通信接口,包括连接到所述第一信号线的第一引脚和连接到所述第二信号线的第二引脚;

第一处理电路,被配置为控制所述第一通信接口;以及

第一功率转换器,被配置为基于通过所述第一通信接口提供的所述功率状态信号和所述功率序列控制信号来产生多个第一输出电压。

3.根据权利要求2所述的PMIC系统,其中,所述第一通信接口包括:

第一电阻器和第一开关,串联连接在电池电源线与连接到所述第一引脚的第一连接节点线之间;

第二电阻器和第二开关,串联连接在所述电池电源线与所述第一连接节点线之间;

第一n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管,连接在所述第一连接节点线与地电压线之间;以及

第一缓冲器,连接到所述一连接节点线,所述第一缓冲器被配置为输出状态输入信号。

4.根据权利要求3所述的PMIC系统,其中,所述第一处理电路还被配置为:

从所述第一缓冲器接收所述状态输入信号;以及

基于所述状态输入信号来产生第一启用信号至第三启用信号,

其中,所述第一开关被配置为由所述第一启用信号控制,

所述第二开关被配置为由所述第二启用信号控制,并且

所述第三启用信号被施加到所述第一NMOS晶体管的栅极。

5.根据权利要求2所述的PMIC系统,其中,所述第一功率转换器包括:

多个参考电压产生器,被配置为响应于从所述第一处理电路接收的多个控制电压而产生多个参考电压;以及

多个调节器,被配置为接收外部电源电压,并且基于所述多个参考电压来产生所述多个第一输出电压,所述第一输出电压中的每一个具有相关联的目标电平。

6.根据权利要求1所述的PMIC系统,其中,所述至少一个子PMIC包括:

第二通信接口,包括第一引脚和第二引脚,所述第一引脚连接到所述第一信号线,所述第二引脚连接到所述第二信号线;

第二处理电路,被配置为控制所述第二通信接口;以及

第二功率转换器,被配置为基于通过所述第二通信接口提供的所述功率状态信号和所述功率序列控制信号来产生多个第二输出电压。

7.根据权利要求6所述的PMIC系统,其中,所述第二通信接口包括:

第二n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管,连接在与所述第一引脚连接的第一连接节点线与地电压线之间,所述第二NMOS晶体管被配置为接收状态启用信号;以及

第二缓冲器,被配置为从所述第一连接节点线接收输入,并且输出状态输入信号。

8.根据权利要求7所述的PMIC系统,其中,所述第二处理电路还被配置为:

接收所述状态输入信号;以及

基于所述状态输入信号来产生所述状态启用信号。

9.根据权利要求6所述的PMIC系统,其中,所述第二功率转换器包括:

多个参考电压产生器,被配置为响应于由所述第二处理电路提供的多个控制电压而产生多个参考电压;以及

多个调节器,被配置为接收外部电源电压,并且基于所述多个参考电压来产生具有目标电平的所述多个第二输出电压。

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