[发明专利]一种功率半导体特性参数测试系统

说明书

本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。

技术领域

本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，具体涉及一种功率半导体特性参数测试系统。

背景技术

在所有的功率半导体器件中，以MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金属-氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor绝缘栅双极晶体管)为代表的全控型器件，以其电压驱动、低损耗、快速开关等优良的综合特性，在众多领域都获得了大规模的应用。

为了保证功率半导体器件在电力电子系统中得到有效的使用，需要在使用前对器件的各项特性参数进行测试，随着更高电压、更大容量器件和模块的发展，对其进行特性参数测试的测试系统也提出新的要求。

为了全面了解器件特性，就需要对器件的多项特性参数进行测试。如对一个IGBT模块，需要测试的静态特性参数包括：集电极-发射极电压(V_CES、V_CER、V_CEX)，集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压(±V_GES)，集电极-发射极饱和电压(V_CE(sat))，栅极-发射极阈值电压(V_GE(th))，集电极截止电流(I_CES、I_CER、I_CEX)，栅极漏电流(I_GES)，输入电容(C_ies)，输出电容(C_oes)，反向传输电容(C_res)，反并二极管压降(V_F)和反并二极管电流(I_F)等等。

由于各项特性参数所使用的测试设备不同，相应的测试电路及连接方式也有所区别，因此每测试一项特性参数都需要进行一项测试电路的搭建，要测试全部的静态参数，则需要搭建多项测试电路，这样花费的时间长，效率低且成本高。

因此，急需一种测试功能齐全，且能根据测试项目灵活调整的功率半导体特性参数测试系统。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服上述现有测试设备在测试不同项目时需要重新搭建，不仅耗时久且成本高的缺陷，提供一种测试功能齐全，能根据测试项目灵活调整的功率半导体特性参数测试系统，通过快速切换到与之适配的测试电路，耗时短，成本低。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案得以实现：一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；

所述器件适配单元包括器件组装连接器、适配连接器、位置控制器以及信号处理器；所述器件组装连接器用于连接待测功率器件和适配连接器，所述适配连接器用于连接低压控制单元或高压控制单元，所述位置控制器用于控制适配连接器的位置，选择连接低压控制单元或连接高压控制单元，所述信号处理器用于接收指令控制所述位置控制器；

所述低压仪表设备单元包括用于功率器件低压参数测试的低压可编程电源、高精度电流表、电压表、宽频精密LCR表、示波器及探头中的至少一种；