[发明专利]一种功率半导体特性参数测试系统

权利要求书

1.一种功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；

所述器件适配单元包括器件组装连接器、适配连接器、位置控制器以及信号处理器；所述器件组装连接器用于连接待测功率器件和适配连接器，所述适配连接器用于连接低压控制单元或高压控制单元，所述位置控制器用于控制适配连接器的位置，选择连接低压控制单元或连接高压控制单元，所述信号处理器用于接收指令控制所述位置控制器；

所述低压仪表设备单元包括用于功率器件低压参数测试的低压可编程电源、高精度电流表、电压表、宽频精密LCR表、示波器及探头中的至少一种；

所述低压控制单元包括用于功率器件低压参数测试的低压项目相关部件和用于切换连接的继电器组；所述继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；在进行低压参数测试时，继电器组按照预设的对应导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；

所述高压仪表设备单元包括用于功率器件高压参数测试的高压仪表设备；

所述高压控制单元包括用于功率器件高压参数测试的高压项目相关部件；

所述测试主控单元根据测试需求向低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、器件适配单元发送指令，控制低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、器件适配单元的状态，以及接收并处理从低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、器件适配单元获得的数据。

2.根据权利要求1所述的功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，所述低压项目相关部件包括用于限流保护的电阻、用于控制电流的功率电感，和用于稳压滤波的功率电容中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，所述测试电路包括第一测试单元电路和/或第二测试单元电路。

4.根据权利要求3所述的功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，所述待测功率器件为IGBT半导体元件，所述第一测试单元电路用以测试IGBT的集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压V_GES、栅极漏电流I_GES、栅极-发射极阈值电压V_GE(the)、集电极-发射极饱和电压V_CE(sat)、输入电容I_ces、输出电容C_oes，以及米勒电容C_res中的至少一种参数。

5.根据权利要求3所述的功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，所述待测功率器件为MOSFET半导体元件，所述第一测试单元电路用以测试MOSFET的漏源短路时的栅极-源极电压V_GSS、栅源极漏电流I_GSS、栅极阈值电压V_GS(th)、反并二极管压降V_F，以及反并二极管电流I_F中的至少一种参数。

6.根据权利要求3所述的功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，所述待测功率器件为IGBT半导体元件，所述第二测试单元电路用以测试IGBT的集电极-发射极电压V_CES和集电极截止电流I_CES中的至少一种参数。

7.根据权利要求3所述的功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，所述待测功率器件为MOSFET半导体元件，所述第二测试单元电路用以测试MOSFET的漏源极阻断电压V_DSS、漏源极漏电流I_DSS、输入电容C_ies、输出电容C_oes，以及米勒电容C_res中的至少一种参数。

8.根据权利要求4或6中所述的功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，所述待测功率器件由两个IGBT管构成。

9.根据权利要求5或7中所述的功率半导体特性参数测试系统，其特征在于，所述待测功率器件由两个MOSFET管构成。