[发明专利]一种金刚石膜氧化硼掺杂方法在审
申请号: | 202110079663.7 | 申请日: | 2021-01-21 |
公开(公告)号: | CN112899644A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 訾蓬;赵小玻;徐金昌;李小安;王传奇;曹延新;玄真武;杨子萱;王艳蔚 | 申请(专利权)人: | 山东欣远新材料科技有限公司;中材人工晶体研究院(山东)有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/448 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 赵奕 |
地址: | 250200 山东省济南市章丘市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金刚石 氧化 掺杂 方法 | ||
1.一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述方法采用热丝气相沉积法制备掺硼金刚石薄膜时,通过在基片平台的周边均匀设置若干开口面积相等的容器,将氧化硼粉放置于容器中,在热丝加热时同时加热容器中的氧化硼粉形成高温气化,实现掺硼金刚石薄膜的制备。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述方法通过设置容器的数量,实现氧化硼掺杂浓度的控制。
3.根据权利要求1或2所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述容器为空心立管,通过设置空心立管的高度,调节氧化硼的温度,从而调节氧化硼的气化浓度。
4.根据权利要求3所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述方法实现步骤包括:
1)选择基片,并对基片进行预处理;
2)在基片平台周边均匀设置若干开口面积相等的空心立管
3)在立管内放置氧化硼粉;
4)通电加压,通入含碳气体,进入形核和生长过程。
5.根据权利要求3所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述基片的材料为钛或硅。
6.根据权利要求3所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述预处理过程包括清晰、研磨。
7.根据权利要求3所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述热丝的材料为钨或钽。
8.根据权利要求3所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述含碳气体为甲烷、甲醇、乙醇或丙酮与氢气的混合,其中甲烷、甲醇、乙醇或丙酮在氢气中的浓度为0.1%~2%。
9.根据权利要求3所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述空心立管的数目为3~12,所述空心立管的高度为3~10mm。
10.根据权利要求1或2所述的一种金刚石膜氧化硼掺杂方法,其特征在于,所述容器的开口面积为0.5~2mm2。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的