[发明专利]一种毫米多晶金刚石的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110025575.9 申请日: 2021-01-08
公开(公告)号: CN112678817A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 马德江;韩云霞;王善民;赵予生 申请(专利权)人: 南方科技大学
主分类号: C01B32/26 分类号: C01B32/26
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 潘登
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 毫米 多晶 金刚石 制备 方法
【说明书】:

发明提供一种毫米多晶金刚石的制备方法,所述方法包括以石墨粉和/或微米晶金刚石为原料在13~16Gpa以及2000~2800℃下进行相转变烧结得到所述毫米多晶金刚石。所述制备方法通过高温高压制备技术,在毫米量级多晶金刚石内部产生高密度纳米缺陷效应,提高了多晶金刚石硬度与韧性,增加了金刚石应用领域。

技术领域

本发明属于人造金刚石领域,涉及一种金刚石制备方法,尤其涉及一种毫米多晶金刚石的制备方法。

背景技术

金刚石又称为金刚钻或者钻石,为石墨的同素异形体。金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质。具有非常广泛用途,例如:工艺品、工业中的切割工具。现有市场上的金刚石来源于两种:1)天然金刚石,开采自金伯利等超基性岩矿,经破碎、提纯、筛选等工艺分级处理,筛选不同粒径、不同纯度、等级金刚石;2)人造金刚石,采用高温高压方法模拟地壳内部环境制备金刚石,依据次生长处理方法不同,人造金刚石又细分为cvd金刚石与高温高压金刚石。高温高压金刚石采用石墨与触媒,在国产六面顶压机上进行生长,通过控制工艺,实现不同晶粒尺寸,不同晶粒形貌的金刚石生长;石墨合成金刚石压力大致为5-6Gpa,1200-1600℃。

采用铁、钴、镍等触媒合成的金刚石,因为合成环境为触媒的液相状态或准液相状态,石墨与金刚石在液相触媒的不同溶解度,所以析出金刚石相,生长金刚石处在等静压环境条件下,制备金刚石为单晶金刚石晶粒,具有解理性,同时制备晶粒尺寸易长大,难以制备纳米晶粒单晶金刚石,限制了金刚石在超精密加工领域的加工应用。3C刀具市场缺乏大量纳米晶金刚石刀具,传统六面顶压机制备pcd金刚石复合片在5-6GPa,1200-1600℃温压条件下制备纳米金刚石会产生石墨化效应,反而降低金刚石使用效果,因此制备纳米金刚石极为困难。

金刚石为面心立方晶体结构,为现有最硬材料,同时兼具最高热导率与宽带系、光学效应。在能源钻探、航空航天、机械加工、珠宝市场、半导体器件、量子计算等领域发挥着主导作用。如现有石油开采领域深井钻探工程,金刚石制品的金刚石复合片具有最佳效益;然而金刚石具有解理性,不抗冲击与振动,提升金刚石韧性格外重要。

CN106757333A公开了一种类金刚石直接转化合成纯相多晶金刚石的制备方法,其特征在于:所述方法步骤如下:a、真空高温处理,净化类金刚石表面:将酸溶除杂后的类金刚石粉末放入真空炉中,在真空度优于4×10-3Pa、温度为500-1000℃的条件下进行处理,处理时间为1-3小时;b、装配烧结单元:将步骤a处理净化后的类金刚石粉末放入包裹材料中,预压成型后,放入高压合成装置的样品腔中;c、高温高压烧结:在烧结压力为4-20GPa、烧结温度为1000-2700℃的条件下烧结10-1200秒;烧结完毕后缓慢降温至室温,然后开始降压;使类金刚石粉末转化为纯相金刚石,得到高性能多晶金刚石块体材料;d、后续加工:将步骤c所得多晶金刚石块体材料放入酸液中去除包裹材料,采用金刚石磨片打磨样品至光亮。该工艺原料在烧结前需经真空高温处理,且制备过程工艺复杂,不利于大规模生产。

CN106582449A公开了一种多晶金刚石及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:1)将触媒、石墨、羟基铜粉、硅粉和六方碳化硼混合均匀压合成柱,与叶蜡石块组装成合成块;2)将合成块放入六面顶压机高压腔内,先以3-30秒快速加压至10-10.5MPa,再缓慢升压至55-65MPa,进行保压;当压力增至35-40MPa时,开始加热,温度从室温升至1600-1800℃进行保温;3)步骤2)中在55-65MPa下保压结束后快速升压至70-80MPa进行保压;4)步骤3)中在70-80MPa下保压结束后,温度从1600-1800℃降至1400-1500℃,保持不变;5)温度降至1400-1500℃后,压力继续增压至85-95MPa时保压;6)步骤5)中的保压结束后开始降温,温度降至室温时再开始泄压。该方法除碳原料外还需要其他原料作为辅料,且制备压力低,晶相转变不完全。

发明内容

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