[实用新型]水冷顶板

说明书

本实用新型为一种水冷顶板，其应用于化学气相沉积反应技术，水冷顶板包括一基板，基板内穿设有多个多边形水路流道，且多个多边形水路流道之间互相串接，以形成一水路通道。本实用新型通过在水冷顶板上采用多边形水路流道的设置，形成蜂巢状的设计，可确保水冷顶板强度足够，同时多边形水冷顶板的设计能有效应用水冷顶板的面积，使穿孔截面积变大，增加冷却液的流量，相对的减轻了水冷顶板的重量。

技术领域

本实用新型涉及一种应用于制造或处理半导体的技术，特别是一种水冷顶板。

背景技术

有机金属化学气相沉积法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)是在晶圆上成长半导体薄膜的一种制程方法，意指利用气相中发生的物理及化学过程，以在固体表面形成沉积物的技术。

有机金属化学气相沉积法在成长半导体薄膜时，利用喷头将载气及有机金属气体，导入至少600℃以上的高温反应腔室中，使反应腔室中均匀地充满气体，并提升气体至可进行反应的高温，以在晶圆基板的反应面上成长半导体薄膜。因此，在进行气相沉积反应时，反应腔室内会处于至少600℃以上的高温状态。

如图1及图2所示，为有效控制反应腔室60温度，一般来说会在反应腔室 60顶壁的位置，设置一水冷顶板62，水冷顶板62上设置圆形水路流道64，提供冷却液在圆形水路流道64中流动，以通过冷却液的对流，将反应腔室60的热能带走，令反应腔室60可维持在一预定温度。

如图1及图2所示，一般为确保水冷顶板62维持一定的结构强度，水路通道多半使用圆形水路流道64相邻设置在水冷顶板62。但由于圆形具有弧度的关系，使相邻圆形水路流道64之间留有较大的空间。因此水冷顶板62采用圆形水路流道64的设计，无法有效应用水冷顶板62的空间，也无法扩大水冷顶板 62中圆形水路流道64的总面积。且不但无法大幅减轻水冷顶板62的重量，同时通过水冷顶板62的冷却液流量也无法被大幅有效提升，相对地影响热能传导对流的功效，进而影响到反应腔室60的控温效果。

有鉴于此，本实用新型遂针对上述现有技术的缺失，提出一种水冷顶板，以有效克服上述的问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在提供一种水冷顶板，其在水冷顶板上采用多边形水路流道的设置，形成蜂巢状的设计，可确保水冷顶板强度足够，同时多边形水冷顶板的设计能有效应用水冷顶板的面积，使穿孔截面积变大，增加冷却液的流量，相对的可减轻了水冷顶板的重量。

为达上述的目的，本实用新型提供一种水冷顶板，包括一基板，基板内穿设有多个多边形水路流道，且多个多边形水路流道互相串接，形成至少一水路通道。

在本实施例中，多边形水路流道为六边形水路流道。

在本实施例中，多个多边形水路流道通过连接管互相串接形成水路通道。

在本实施例中，水路通道更包括一出水口与一入水口。

在本实施例中，水冷顶板更包括一循环系统，连通水路通道的出水口与入水口。

在本实施例中，基板为金属基板。

在本实施例中，基板为铝基板。

本实用新型在水冷顶板上采用多边形水路流道的设置，形成蜂巢状的设计，可确保水冷顶板强度足够，同时多边形水冷顶板的设计能有效应用水冷顶板的面积，使穿孔截面积变大，增加冷却液的流量，相对的可减轻了水冷顶板的重量。

兹为对本实用新型的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明，说明如后。

附图说明

图1为现有水冷顶板安装在反应腔室顶部的剖视图。

图2为现有水冷顶板部分示意图。