[实用新型]一种高压功率二极管的加工装置有效
| 申请号: | 202022795327.6 | 申请日: | 2020-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN213716847U | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
| 发明(设计)人: | 刘官超 | 申请(专利权)人: | 深圳市联冀电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人: | 闫露露 |
| 地址: | 518102 广东省深圳市宝安区西乡街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高压 功率 二极管 加工 装置 | ||
本实用新型属于二极管加工技术领域,尤其是一种高压功率二极管的加工装置,针对无法两端切角的问题,现提出以下方案,包括顶板和底座,所述顶板的顶部中心处安装有电动伸缩杆,所述电动伸缩杆的伸缩端顶端安装有横杆,所述横杆的两端均焊接有L型杆,两个所述L型杆的另一端焊接有同一个移动条形块,所述移动条形块的正下方设有固定条形块,所述顶板顶部一侧设有升降机构,且升降机构的底部水平安装有电动滑台,所述电动滑台的输出端顶端设有切角机构,且底座顶部位于固定条形块的两侧均焊接有支撑条形块。本实用新型二极管固定步骤简便,省时省力,可一次性对二极管两端同时切角,且可一次性对多个二极管进行切角,提高了工作效率。
技术领域
本实用新型涉及二极管加工技术领域,尤其涉及一种高压功率二极管的加工装置。
背景技术
高压功率二极管PN结面积大,能过较大电流,但结电容也大,只能工作在较低频率下,一般仅用作整流用,而一般的二极管结面积小,不能通过较大电流,但结电容小,可在高频率下工作,一般用于高频电路和小功率的整流。高压功率二极管进行加工制作时,一般的生产流程包括六个方面,即焊接、酸洗、成型、电镀、引直、测试包装。而成型过程中需要对二极管的端部进行切角,即对其端部不平整部分进行切除。
现有的高压功率二极管切角大多为人工进行切角,极大的增加工作者的劳动强度;部分采用加工装置进行切角,但是现有的加工装置在切角前的固定较为麻烦,费时费力;现有的加工装置无法一次性对高压功率二极管的两端同时进行切角,需要分次切角,工作效率低下。
实用新型内容
基于背景技术中提出的技术问题,本实用新型提出了一种高压功率二极管的加工装置。
本实用新型提出的一种高压功率二极管的加工装置,包括顶板和底座,所述顶板的顶部中心处竖直安装有电动伸缩杆,所述电动伸缩杆的伸缩端顶端水平安装有横杆,所述顶板的顶部位于电动伸缩杆的两侧均设有伸缩结构,所述横杆的两端均竖直焊接有L型杆,两个所述L型杆的另一端水平焊接有同一个移动条形块,所述移动条形块底部开设有固定槽,所述移动条形块的正下方设有固定条形块,所述固定条形块顶部开设有放置槽,所述顶板顶部一侧设有升降机构,且升降机构的底部水平安装有电动滑台,所述电动滑台的输出端顶端设有切角机构,且底座顶部位于固定条形块的两侧均焊接有支撑条形块,两个所述支撑条形块的顶部均开设有支撑槽。
优选地,所述顶板位于底座的正上方,所述顶板的底部四角均竖直焊接有支撑柱,且四个支撑柱的底端分别焊接于底座顶部四角。
优选地,所述固定条形块水平焊接于底座顶部的中部,所述固定槽和放置槽均设有多个,多个所述固定槽和放置槽分别在移动条形块底部和固定条形块顶部均匀分布,所述固定槽和放置槽对立设置。
优选地,所述升降机构包括液压伸缩杆,所述液压伸缩杆竖直安装于顶板顶部一侧,所述液压伸缩杆的伸缩端贯穿顶板并和顶板滑动连接,所述液压伸缩杆的伸缩端两侧均焊接有连接杆,所述电动滑台安装于液压伸缩杆的伸缩端和两个连接杆的底端。
优选地,所述切角机构包括切刀,所述电动滑台的输出端安装于安装板,所述安装板顶部水平安装有旋转电机,所述旋转电机的输出轴顶端安装有转杆,所述切刀设有两个,两个所述切刀分别安装于转杆的两端。
优选地,所述伸缩结构包括套筒和伸缩杆,所述套筒竖直焊接于顶板顶部,所述伸缩杆套接于套筒内部,所述伸缩杆的顶端从套筒内部伸出并和横杆底部焊接。
优选地,所述支撑槽的数量和放置槽的数量相同,多个所述支撑槽在支撑条形块顶部均匀分布,所述支撑槽的位置和放置槽一一对应。
本实用新型中的有益效果为:
1、该高压功率二极管的加工装置,通过设置有放置槽,将二极管的中部放置在放置槽内,再启动电动伸缩杆带动横杆下降,横杆通过L型杆带动移动条形块下降直至固定槽卡住二极管的中部,从而对二极管进行固定,固定步骤简便,省时省力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





