[实用新型]一种高压功率二极管的加工装置有效
| 申请号: | 202022795327.6 | 申请日: | 2020-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN213716847U | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
| 发明(设计)人: | 刘官超 | 申请(专利权)人: | 深圳市联冀电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人: | 闫露露 |
| 地址: | 518102 广东省深圳市宝安区西乡街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高压 功率 二极管 加工 装置 | ||
1.一种高压功率二极管的加工装置,包括顶板(6)和底座,其特征在于,所述顶板(6)的顶部中心处竖直安装有电动伸缩杆(3),所述电动伸缩杆(3)的伸缩端顶端水平安装有横杆(1),所述顶板(6)的顶部位于电动伸缩杆(3)的两侧均设有伸缩结构,所述横杆(1)的两端均竖直焊接有L型杆(7),两个所述L型杆(7)的另一端水平焊接有同一个移动条形块(14),所述移动条形块(14)底部开设有固定槽(9),所述移动条形块(14)的正下方设有固定条形块(15),所述固定条形块(15)顶部开设有放置槽(13),所述顶板(6)顶部一侧设有升降机构,且升降机构的底部水平安装有电动滑台(19),所述电动滑台(19)的输出端顶端设有切角机构,且底座顶部位于固定条形块(15)的两侧均焊接有支撑条形块(10),两个所述支撑条形块(10)的顶部均开设有支撑槽(11)。
2.根据权利要求1所述的一种高压功率二极管的加工装置,其特征在于,所述顶板(6)位于底座的正上方,所述顶板(6)的底部四角均竖直焊接有支撑柱,且四个支撑柱的底端分别焊接于底座顶部四角。
3.根据权利要求2所述的一种高压功率二极管的加工装置,其特征在于,所述固定条形块(15)水平焊接于底座顶部的中部,所述固定槽(9)和放置槽(13)均设有多个,多个所述固定槽(9)和放置槽(13)分别在移动条形块(14)底部和固定条形块(15)顶部均匀分布,所述固定槽(9)和放置槽(13)对立设置。
4.根据权利要求3所述的一种高压功率二极管的加工装置,其特征在于,所述升降机构包括液压伸缩杆(4),所述液压伸缩杆(4)竖直安装于顶板(6)顶部一侧,所述液压伸缩杆(4)的伸缩端贯穿顶板(6)并和顶板(6)滑动连接,所述液压伸缩杆(4)的伸缩端两侧均焊接有连接杆(16),所述电动滑台(19)安装于液压伸缩杆(4)的伸缩端和两个连接杆(16)的底端。
5.根据权利要求4所述的一种高压功率二极管的加工装置,其特征在于,所述切角机构包括切刀(12),所述电动滑台(19)的输出端安装于安装板(18),所述安装板(18)顶部水平安装有旋转电机(17),所述旋转电机(17)的输出轴顶端安装有转杆(8),所述切刀(12)设有两个,两个所述切刀(12)分别安装于转杆(8)的两端。
6.根据权利要求5所述的一种高压功率二极管的加工装置,其特征在于,所述伸缩结构包括套筒(5)和伸缩杆(2),所述套筒(5)竖直焊接于顶板(6)顶部,所述伸缩杆(2)套接于套筒(5)内部,所述伸缩杆(2)的顶端从套筒(5)内部伸出并和横杆(1)底部焊接。
7.根据权利要求6所述的一种高压功率二极管的加工装置,其特征在于,所述支撑槽(11)的数量和放置槽(13)的数量相同,多个所述支撑槽(11)在支撑条形块(10)顶部均匀分布,所述支撑槽(11)的位置和放置槽(13)一一对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





