[实用新型]一种用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置

说明书

本实用新型公开了一种用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，包括平行设置、且依次排列的横梁Ⅰ、横梁Ⅱ、横梁Ⅲ和横梁Ⅳ，横梁Ⅰ、横梁Ⅱ、横梁Ⅲ、横梁Ⅳ的两端分别通过连接杆固定连接，横梁Ⅲ上安装有滚轮，横梁Ⅳ的一侧设有延长杆，延长杆上设有卡杆。本实用新型结构简单、使用便捷，可以将舟厚度为6‑10mm的薄多晶硅舟通过短拉钩将其推至石英管内，然后在的延长杆的作用下，通过运行程序，将舟推至扩散炉恒温区位置，实现半导体杂质扩散，形成PN结。

技术领域

本实用新型涉及半导体电子元器件制造技术领域，尤其涉及一种用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置。

背景技术

目前用于半导体自动进炉的方式一般是将需要进行扩散工艺的产品至于推拉舟上方进行扩散，但由于做功率半导体器件扩散温度较高（扩散温度1220～1280℃），时间较长，故无法使用石英工装器具，若使用其他材质舟浆（碳化硅），其热容量较大，不易成型且其应力较大，易破损，同时存在炉管设计尺寸较大等影响，故目前一般采用手工进炉的方式进行作业，导致进炉位置重复性差，劳动强度大的问题；

为了减少工装器具热容量的问题，且装片多晶硅舟弧度的问题，故扩散使用的多晶硅舟较薄（6～10mm），但其使得自动进炉存在较大难度。

实用新型内容

为解决上述缺陷，本实用新型的目的是在于提供一种结构简单、使用便捷、能实现可靠自动进炉的用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置。

为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案实现：一种用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，包括平行设置、且依次排列的横梁Ⅰ、横梁Ⅱ、横梁Ⅲ和横梁 Ⅳ，所述横梁Ⅰ、横梁Ⅱ、横梁Ⅲ、横梁 Ⅳ的两端分别通过连接杆固定连接，所述横梁Ⅲ上安装有滚轮，所述横梁 Ⅳ的一侧设有延长杆，所述延长杆上设有卡杆。

进一步的，所述横梁Ⅰ采用圆棒制成，所述横梁Ⅰ远离横梁Ⅱ的一侧设有凸起的平面，所述横梁Ⅰ的长度为50-70mm、直径为7-12mm。

进一步的，所述横梁Ⅱ采用圆棒制成，所述横梁Ⅱ的长度为50-70mm、直径为7-12mm。

进一步的，所述横梁Ⅰ与横梁Ⅱ之间的距离为20-30mm。

进一步的，所述横梁Ⅲ采用圆棒制成，所述横梁Ⅲ的长度为50-70mm、直径为7-11mm，所述滚轮的内径为12-15mm、外径为25-30mm、宽度为10-15mm，所述滚轮存在30-60度倒角，所述倒角深度为3-5mm。

进一步的，所述横梁Ⅲ在滚轮的两侧设有凸点，所述凸点的凸起高度为5-10mm。

进一步的，所述延长杆采用圆棒制成，所述延长杆的长度为1-2m、直径为8-12mm，所述延长杆的内部为空心结构。

本实用新型的有益效果：结构简单、使用便捷，可以将舟厚度为6-10mm的薄多晶硅舟通过短拉钩将其推至石英管内，然后在的延长杆的作用下，通过运行程序，将舟推至扩散炉恒温区位置，实现半导体杂质扩散，形成PN结。

附图说明

图1为本实用新型的侧视图。

图2为本实用新型的俯视图。

其中：1、横梁Ⅰ，2、横梁Ⅱ，3、横梁Ⅲ，4、横梁 Ⅳ，5、连接杆，6、滚轮，7、延长杆，8、卡杆，11、平面，31、凸点。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。