[实用新型]一种用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置有效
| 申请号： | 202022254380.5 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN213026079U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李松松;沈怡东;张超;钱海军 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 蒯建伟 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 功率 半导体器件 扩散 自动 装置 | ||
1.一种用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，其特征在于：包括平行设置、且依次排列的横梁Ⅰ、横梁Ⅱ、横梁Ⅲ和横梁Ⅳ，所述横梁Ⅰ、横梁Ⅱ、横梁Ⅲ、横梁Ⅳ的两端分别通过连接杆固定连接，所述横梁Ⅲ上安装有滚轮，所述横梁Ⅳ的一侧设有延长杆，所述延长杆上设有卡杆。
2.根据权利要求1所述的用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，其特征在于：所述横梁Ⅰ采用圆棒制成，所述横梁Ⅰ远离横梁Ⅱ的一侧设有凸起的平面，所述横梁Ⅰ的长度为50-70mm、直径为7-12mm。
3.根据权利要求1所述的用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，其特征在于：所述横梁Ⅱ采用圆棒制成，所述横梁Ⅱ的长度为50-70mm、直径为7-12mm。
4.根据权利要求1所述的用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，其特征在于：所述横梁Ⅰ与横梁Ⅱ之间的距离为20-30mm。
5.根据权利要求1所述的用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，其特征在于：所述横梁Ⅲ采用圆棒制成，所述横梁Ⅲ的长度为50-70mm、直径为7-11mm，所述滚轮的内径为12-15mm、外径为25-30mm、宽度为10-15mm，所述滚轮存在30-60度倒角，所述倒角的深度为3-5mm。
6.根据权利要求1所述的用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，其特征在于：所述横梁Ⅲ在滚轮的两侧设有凸点，所述凸点的凸起高度为5-10mm。
7.根据权利要求1所述的用于功率半导体器件的扩散自动进炉的装置，其特征在于：所述延长杆采用圆棒制成，所述延长杆的长度为1-2m、直径为8-12mm，所述延长杆的内部为空心结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
