[实用新型]一种用于金刚石生长的组合式基片台

说明书

本申请公开了一种用于金刚石生长的组合式基片台，包括底座以及上盖板，所述底座的上表面具有至少一凸台，所述上盖板上贯穿设有与所述凸台一一对应的通孔，所述凸台适于插入所述通孔内，所述通孔的深度大于所述凸台的厚度，以使得所述上盖板盖设于所述底座的上表面且所述凸台插入所述通孔时，所述凸台的顶面以及所述通孔的内表面界定一生长槽，其结构简单、设计巧妙，底座和上盖板之间进行任意组合，以使得凸台和通孔之间可组合成不同厚度的生长槽，以满足不同厚度金刚石的生长需求。

技术领域

本申请涉及金刚石制备领域，尤其涉及一种用于金刚石生长的组合式基片台。

背景技术

微波等离子体化学气相法(MPVCD)是一种成本低、质量高、易操控的人工制备金刚石的方法。其基本原理是使用微波在低分子碳烃气体(比如甲烷)与氢气的混合气体中激发等离子体。在这等离子体的高温环境中，碳离子将会沉积到放置在基片台的籽晶上，从而实现单晶金刚石的人工生长。其中，基片台的结构设计时影响单晶金刚石生产质量的一个重要因素。现有技术中的基片台是在一块厚钼片上用精雕机雕出不同深度的槽，根据不同厚度的金刚石选用不同深度槽的基片台。

但是，这种基片台会存在以下缺陷：1、单晶金刚石的种类繁多，导致生产一种类型的金刚石就需要用精雕机在基片台上雕出与单晶金刚石生长厚度相匹配的凹槽，导致整个生产成本增大、实用性不强；

2、采用精雕机雕出的凹槽，其底面粗糙度不好、无法打磨，使得单晶金刚石在生长过程中其底面易形成石墨或者其他碳氢化合物导致金刚石的温度快速升高，影响其生长。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本申请的一个目的在于提供一种用于金刚石生长的组合式基片台，底座和上盖板可进行任意组合，通过不同高度的凸台的顶面以及不同深度的通孔的内表面界定不同深度的生长槽，以满足不同厚度金刚石的生长需求。

为达到以上目的，本申请采用的技术方案为：一种用于金刚石生长的组合式基片台，包括底座以及上盖板，所述底座的上表面具有至少一凸台，所述上盖板上贯穿设有与所述凸台一一对应的通孔，所述凸台适于插入所述通孔内，所述通孔的深度大于所述凸台的厚度，以使得所述上盖板盖设于所述底座的上表面且所述凸台插入所述通孔时，所述凸台的顶面以及所述通孔的内表面界定一生长槽。

进一步地，所述凸台的外径与所述通孔的内径相匹配，以使得所述凸台插入所述通孔时，所述凸台的外壁与所述通孔的内壁贴合。

进一步地，所述上盖板的上表面以及下表面均为平坦的平面。

进一步地，所述组合式基片台包括多个所述上盖板，各个所述上盖板的厚度不同，从而各个所述上盖板具有不同深度的所述通孔。

进一步地，所述底座的上表面具有多个所述凸台，多个所述凸台相互间隔地设置，各个所述凸台的高度相同。

进一步地，所述组合式基片台包括多个所述底座，不同的所述底座具有不同高度的所述凸台。

进一步地，所述凸台的数量为多个，多个所述凸台对称地设置于所述底座上。

与现有技术相比，本申请的有益效果在于：

(1)其底座和上盖板之间可以可组成不同的组合，得以满足不同厚度的金刚石的生长需求，有效地节约生产成本，提高其实用性；

(2)其设有凸台，能够实现快速地对凸台表面进行打磨，使得金刚石在生长时能够与底面更好的接触，减少积碳在金刚石底面生成的几率，更好地传递走热量，提高金刚石生长环境的稳定性和金刚石的品质。

(3)其设有通孔，能够根据金刚石的生长厚度，更换不同厚度的上盖板，使得通孔的深度不同，将不同厚度的上盖板和底座之间进行组合，能够满足不同厚度金刚石的生长需求，从而得以实现底座规格的标准化，有效地降低生产成本，节约资源。

附图说明