[实用新型]晶体管功率模块封装结构

说明书

本实用新型提供一种晶体管功率模块封装结构，晶体管功率模块封装结构包括引线框架、铜基树脂散热片、若干芯片和环氧树脂塑封体；各所述芯片设置于所述引线框架上，所述铜基树脂散热片贴附于所述引线框架，所述环氧树脂塑封体包覆于所述引线框架、各所述芯片以及所述铜基树脂散热片的外侧。采用引线框架和铜基树脂散热片取代传统的DBC基板，能够有效避免热膨胀系数不匹配的情况，从而避免引起晶体管翘曲的情况，并且避免了焊接产生的大面积的气泡，而采用环氧树脂进行压注封装，能够有效提高晶体管的气密性与可靠性，避免了晶体管在高温环境下发生硬化而导致的内部产生气泡而引起散热性与气密性的降低。

技术领域

本实用新型涉及晶体管功率模块封装技术领域，特别涉及一种晶体管功率模块封装结构。

背景技术

现有传统型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)功率模块的封装结构采用塑胶外壳灌封结构。这种封装结构导致晶体管的体积较大。

传统型IGBT功率模块封装结构采用灌封胶，灌封胶的封装方式导致型IGBT功率模块的体积较大。且灌封胶在高温下容易发生硬化，进而导致产品内部产生气泡，气泡导致芯片与灌封胶之间的接触不良，导致接触热阻增加，进而降低产品散热性，此外，由于气泡内部为空气，空气中的热传导率相较于在灌封胶中要低，导致产品散热性较差，进而导致晶体管失效。

此外，传统的IGBT功率模块封装结构采用DBC(直接覆铜)基板带来的CTE(coefficient of thermal expansion，热膨胀系数)不匹配，导致晶体管翘曲问题与大面积DBC焊接产生的气泡率大问题。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种晶体管功率模块封装结构。

一种晶体管功率模块封装结构，包括：引线框架、铜基树脂散热片、若干芯片和环氧树脂塑封体；

各所述芯片设置于所述引线框架上，所述铜基树脂散热片贴附于所述引线框架，所述环氧树脂塑封体包覆于所述引线框架、各所述芯片以及所述铜基树脂散热片的外侧。

在一个实施例中，所述铜基树脂散热片包括依次层叠连接的铜基层、第一树脂层和第二树脂层，所述第二树脂层与所述引线框架连接。

在一个实施例中，所述第一树脂层的固化率和所述第二树脂层的固化率相异设置。

在一个实施例中，所述第一树脂层的厚度和所述第二树脂层的厚度相等。

在一个实施例中，所述铜基层的厚度为0.3mm至0.5mm。

在一个实施例中，所述第一树脂层的厚度为75μm至95μm。

在一个实施例中，所述第二树脂层的厚度为75μm至95μm。

在一个实施例中，各所述芯片设置于所述引线框架的一面，所述铜基树脂散热片贴附于所述引线框架的另一面。

在一个实施例中，所述铜基树脂散热片与所述引线框架热压连接。

在一个实施例中，所述引线框架的靠近边缘的位置设置有U型槽。

上述晶体管功率模块封装结构，采用引线框架和铜基树脂散热片取代传统的DBC基板，能够有效避免热膨胀系数不匹配的情况，从而避免引起晶体管翘曲的情况，并且避免了焊接产生的大面积的气泡，而采用环氧树脂进行压注封装，能够有效提高晶体管的气密性与可靠性，避免了晶体管在高温环境下发生硬化而导致的内部产生气泡而引起散热性与气密性的降低。

附图说明

图1为一个实施例中晶体管功率模块封装结构的一方向结构示意图；

图2为一个实施例中晶体管功率模块封装结构的另一方向的未封装前的结构示意图；