[实用新型]晶体管功率模块封装结构有效
| 申请号： | 202021715393.1 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN212392243U | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赵承贤;李鑫;颜志进;刘浩;周新龙;盘伶子 | 申请（专利权）人： | 珠海格力新元电子有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/495;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 519100 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 功率 模块 封装 结构 | ||
1.一种晶体管功率模块封装结构，其特征在于，包括：引线框架、铜基树脂散热片、若干芯片和环氧树脂塑封体；
各所述芯片设置于所述引线框架上，所述铜基树脂散热片贴附于所述引线框架，所述环氧树脂塑封体包覆于所述引线框架、各所述芯片以及所述铜基树脂散热片的外侧。
2.根据权利要求1所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，所述铜基树脂散热片包括依次层叠连接的铜基层、第一树脂层和第二树脂层，所述第二树脂层与所述引线框架连接。
3.根据权利要求2所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，所述第一树脂层的固化率和所述第二树脂层的固化率相异设置。
4.根据权利要求2所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，所述第一树脂层的厚度和所述第二树脂层的厚度相等。
5.根据权利要求2所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，所述铜基层的厚度为0.3mm至0.5mm。
6.根据权利要求2所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，所述第一树脂层的厚度为75μm至95μm。
7.根据权利要求2所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，所述第二树脂层的厚度为75μm至95μm。
8.根据权利要求1-7任一项中所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，各所述芯片设置于所述引线框架的一面，所述铜基树脂散热片贴附于所述引线框架的另一面。
9.根据权利要求1-7任一项中所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，所述铜基树脂散热片与所述引线框架热压连接。
10.根据权利要求1所述的晶体管功率模块封装结构，其特征在于，所述引线框架的靠近边缘的位置设置有U型槽。
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