[实用新型]功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的半导体层；

位于半导体层中的多个沟槽；

位于半导体层中的体区，所述体区邻近所述多个沟槽上部；

位于所述体区中的源区；

位于所述多个沟槽内的屏蔽介质层，其中，所述屏蔽介质层覆盖所述沟槽下部的侧壁和底部；

位于所述沟槽内上部两侧的栅极导体；

屏蔽导体，所述屏蔽导体从所述沟槽底部延伸至所述栅极导体的下方区域；

栅极电极，与所述栅极导体电连接；

源极电极，与所述源区电连接；

其中，所述栅极导体与所述体区之间由栅介质层隔开；所述屏蔽导体与所述半导体层之间由屏蔽介质层隔开；所述沟槽上部两侧的栅极导体由隔离层隔开；

所述源极电极还与部分所述屏蔽导体电连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括：

第一接触孔，所述栅极电极通过所述第一接触孔与所述栅极导体电连接；

第二接触孔，所述源极电极通过所述第二接触孔与所述屏蔽导体电连接；

第三接触孔，所述源极电极通过所述第三接触孔与所述源区电连接。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二接触孔贯穿所述隔离层至部分所述屏蔽导体的顶部表面。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括沿沟槽长度方向划分的第一区域和多个交替的第二区域和第三区域。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一区域包括位于第一区域中的第一接触孔，所述第一区域的所述屏蔽导体不与所述源极电极连接。

6.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二区域包括位于第二区域中的第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述隔离层至部分所述屏蔽导体的顶部表面，所述源极电极通过所述第二接触孔与所述屏蔽导体电连接，还包括位于所述第二区域和第三区域中的第三接触孔，其中，所述源极电极通过第三接触孔与所述源区电连接。

7.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第三区域包括位于所述第二区域和第三区域中的第三接触孔，其中，所述源极电极通过第三接触孔与所述源区电连接，所述第三区域的所述屏蔽导体不与所述源极电极连接。

8.根据权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，沿所述沟槽长度方向，所述多个第二接触孔之间的间隔距离为20um～500um。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述屏蔽介质层的厚度为1000埃～20000埃，所述栅介质层的厚度为600埃～3000埃。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述沟槽的深度为1um～45um。

11.根据权利要求1-7中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅极导体的顶部表面与所述半导体层的第一表面之间的距离为0um～0.2um。

12.根据权利要求1-7中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述屏蔽导体的顶部表面与所述半导体层的第一表面之间的距离为0.5um～1.5um。

13.根据权利要求1-7中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅极导体的深度为0.4um～1.5um。

14.根据权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，单个第二接触孔沿沟槽长度方向的长度为1um～3um。