[实用新型]一种射频功率多路合成器

说明书

本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及一种射频功率多路合成器，包括合成部、输出端口、负载和两个输入端口，输入端口设置在合成部的顶部两端，合成部的下底面中部设置有下凹槽，输出端口的顶部与下凹槽连接，合成部的上顶面中部设置在上凹槽，上凹槽延伸至输出端口，合成部的中部侧壁上设置有负载台阶，负载台阶通过过渡部与合成部连接。本发明以合成部、输出端口和输入端口构成宽带E面波导魔T导功率合成，并在合成部上设置负载台阶连接负载，实现两个输入端口输入信号的幅度和相位均衡，达到高效的功率合成，并且该合成器结构紧凑，体积小，带宽大，插损低，承载功率高，实现了阻抗匹配，大大减小了回波损耗。

技术领域

本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及一种射频功率多路合成器。

背景技术

功率放大器以其体积小、重量轻、可靠性高的优势在无线通讯、仪器测量、电子对抗领域得到广泛运用。然而单个功放模块输出的功率有限，难以满足整机系统对功率的要求。为此，必须有一种功率合成方式将多个单元功放模块功率合成，来增大功率放大器的输出功率。

常见的微波功率合成技术主要分为基于带线的平面合成技术和基于波导的合成技术。基于带线的合成技术具有体积小、工作频带宽等优点；基于波导的合成技术具有低损耗、高功率容量等优点。但是两种合成方式都会受材料及加工工艺的影响，随着工作频率的提高、合成路数的增加，合成效率降低，插入损耗变大，其中基于微带的合成方式其介质损耗和辐射损耗更为显著。

为解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种结构紧凑，体积小，带宽大，插损低，承载功率高的射频功率多路合成器。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种射频功率多路合成器，以合成部、输出端口和输入端口构成宽带E面波导魔T导功率合成，并在合成部上设置负载台阶连接负载，实现两个输入端口输入信号的幅度和相位均衡，实现高效的功率合成，并且该合成器结构紧凑，体积小，带宽大，插损低，承载功率高，实现了阻抗匹配，大大减小了回波损耗。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种射频功率多路合成器，包括合成部、输出端口、负载和两个输入端口，所述输入端口设置在合成部的顶部两端，所述合成部的下底面中部设置有下凹槽，所述下凹槽的两侧侧壁呈对称的阶梯状设置，所述输出端口的顶部与下凹槽连接，合成部的上顶面中部设置在上凹槽，上凹槽部分纵向延伸至输出端口，合成部的中部侧壁上设置有负载台阶，负载台阶通过过渡部与合成部连接，过渡部与上凹槽对应设置，所述负载设置在负载台阶上。

进一步地，所述输出端口呈自上而下宽度逐级减小的三段式结构。优选地，所述输出端口自上而下三段的宽度比为1～1.5：1～1.5：1。在工作过程中，功放模块的输入信号分别通过两个输入端口进入，经过两路合成器后从输出端口合成输出，实现只有极少部分信号受阻抗匹配和加工工艺的影响被反射回来，进入到负载侧，被负载吸收，改善了功放模块到合成器之间的阻抗匹配，提高了合成效率，避免了大功率反射烧毁功放芯片。

进一步地，所述合成部、输出端口和输入端口的厚度相同，合成部、输出端口和输入端口的宽度比为0.2～5：1：1。

进一步地，所述上凹槽呈从远离负载台阶端到靠近负载台阶端深度逐级降低的四段式结构。

进一步地，从远离负载台阶端到靠近负载台阶端，上凹槽的第1～3段设置在合成部上，上凹槽的第4段设置在过渡部上。

进一步地，从远离负载台阶端到靠近负载台阶端，上凹槽的第1段延伸至输出端口。

进一步地，所述下凹槽的侧壁呈四级阶梯状结构。

进一步地，所述下凹槽的侧壁相邻的阶梯通过弧面过渡连接。

进一步地，所述输出端口与下凹槽的顶部连接。