[实用新型]一种射频功率多路合成器

权利要求书

1.一种射频功率多路合成器，其特征在于，包括合成部、输出端口、负载和两个输入端口，所述输入端口设置在合成部的顶部两端，所述合成部的下底面中部设置有下凹槽，所述下凹槽的两侧侧壁呈对称的阶梯状设置，所述输出端口的顶部与下凹槽连接，合成部的上顶面中部设置在上凹槽，上凹槽部分纵向延伸至输出端口，合成部的中部侧壁上设置有负载台阶，负载台阶通过过渡部与合成部连接，过渡部与上凹槽对应设置，所述负载设置在负载台阶上。

2.根据权利要求1所述的一种射频功率多路合成器，其特征在于，所述输出端口呈自上而下宽度逐级减小的三段式结构。

3.根据权利要求1所述的一种射频功率多路合成器，其特征在于，所述上凹槽呈从远离负载台阶端到靠近负载台阶端深度逐级降低的四段式结构。

4.根据权利要求3所述的一种射频功率多路合成器，其特征在于，从远离负载台阶端到靠近负载台阶端，上凹槽的第1～3段设置在合成部上，上凹槽的第4段设置在过渡部上。

5.根据权利要求4所述的一种射频功率多路合成器，其特征在于，从远离负载台阶端到靠近负载台阶端，上凹槽的第1段延伸至输出端口。

6.根据权利要求1所述的一种射频功率多路合成器，其特征在于，所述下凹槽的侧壁呈四级阶梯状结构。

7.根据权利要求1所述的一种射频功率多路合成器，其特征在于，所述负载台阶的靠近负载的侧壁为一级阶梯状结构，负载台阶远离负载的侧壁为四级阶梯状结构。

8.一种射频功率多路合成器，其特征在于，所述合成器为多层级的合成域结构，

对于第n级合成域，包括n个合成部，所述合成部的顶部两端对称设置有输入端口，合成部的下底面中部设置有下凹槽，所述下凹槽的两侧侧壁呈对称的阶梯状设置，输出端口的顶部与下凹槽连接，合成部的上顶面中部设置在上凹槽，上凹槽部分纵向延伸至输出端口，负载台阶通过过渡部与合成部连接，过渡部与上凹槽对应设置，负载台阶上设置有负载；

第n级合成域的输出端口作为第n-1级合成域的输入端口。

9.根据权利要求8所述的一种射频功率多路合成器，其特征在于，所述多路合成器以权利要求1～7任意一项所述多路合成器作为一级合成域。

10.根据权利要求8所述的一种射频功率多路合成器，其特征在于，具有输出属性的端口呈自上而下宽度逐级减小的三段式结构。