[发明专利]提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备

说明书

本申请涉及一种提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备。提高芯片内器件性能均匀性的方法包括：对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，多个性能测试监控单元与目标芯片上的多个关键功能模块一一对应；针对每个关键功能模块，通过与关键功能模块对应的性能测试监控单元获得关键功能模块的电性参数；根据多个关键功能模块的电性参数，获得目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值；针对每个目标位置，通过与目标位置对应的能量补偿值，对目标位置进行曝光能量补偿。提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备能够保证其方法的实施效率，同时，保证了目标芯片内关键器件性能的均匀性提高的效果。

技术领域

本申请涉及芯片设计及制作领域，具体而言，涉及一种提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备。

背景技术

随着半导体制作工艺向更先进的节点(28nm→14nm→7nm)演进，集成电路中，芯片内部不同位置同种器件的性能差异，往往更容易导致均匀性相关的良率损失。尤其是新产品从导入、试生产，到量产的转换阶段，需要快速提升良率，因此，如何提高芯片内器件性能的均匀性至关重要。

现有技术中，针对某个目标芯片，往往是通过线宽扫描电子显微镜对其各关键功能模块中具有的关键尺寸量测结构进行尺寸大小的在线测量，此后，直接根据目标芯片内各关键功能模块对应的关键尺寸量测结构，在线测量的物理尺寸大小来做表征，获得使各关键功能模块对应的多个目标位置上，关键器件沟道长度尺寸大小一致所需的能量补偿值，再针对多个目标位置中的每个目标位置，通过与该目标位置对应的能量补偿值，对该目标位置进行曝光能量补偿，以提高目标芯片内各关键功能模块中，关键器件的沟道长度尺寸大小均匀性，从而提高目标芯片内处于不同位置的各关键器件性能的均匀性。

上述过程中，一方面，通过线宽扫描电子显微镜对目标芯片内各关键功能模块中具有的关键尺寸量测结构进行尺寸大小的在线测量需要耗费大量人力和机时，因此，降低了提高目标芯片内关键器件性能均匀性方法的实施效率，另一方面，由于其仅仅考虑了目标芯片内各关键功能模块中关键器件的沟道长度尺寸大小对目标芯片内关键器件均匀性的影响，而未考虑对目标芯片进行曝光生产后，其他制程的影响因素，例如，离子注入、快速退火等，因此，具有一定局限性，也就影响了目标芯片内关键器件的性能均匀性提高的效果。

发明内容

本申请的目的在于，提供一种提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备，以解决上述问题。

第一方面，本申请提供的提高芯片内器件性能均匀性的方法，包括：

对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，多个性能测试监控单元与目标芯片上的多个关键功能模块一一对应，关键功能模块中具有关键器件；

针对多个关键功能模块中的每个关键功能模块，通过与关键功能模块对应的性能测试监控单元获得关键功能模块的电性参数，以分别获得多个关键功能模块的电性参数；

根据多个关键功能模块的电性参数，获得目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值；

针对多个目标位置中的每个目标位置，通过与目标位置对应的能量补偿值，对目标位置进行曝光能量补偿，以提高目标芯片内关键器件性能的均匀性。

结合第一方面，本申请实施例还提供了第一方面的第一种可选的实施方式，对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产之前，提高芯片内器件性能均匀性的方法还包括：

确定出目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置；

分别在多个目标位置设置多个性能测试监控单元，以使多个性能测试监控单元与多个目标位置一一对应，且针对多个性能测试监控单元中的每个性能测试监控单元，性能测试监控单元能够应用联合测试行为组织协议，通过晶圆良率测试方法监测自身的电性指标，以表征对应功能关键功能模块的电性参数。