[发明专利]提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，包括：

对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，所述多个性能测试监控单元与所述目标芯片上的多个关键功能模块一一对应，所述关键功能模块中具有关键器件；

针对所述多个关键功能模块中的每个关键功能模块，通过与所述关键功能模块对应的性能测试监控单元获得所述关键功能模块的电性参数，以分别获得所述多个关键功能模块的电性参数；

根据所述多个关键功能模块的电性参数，获得所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值；

针对所述多个目标位置中的每个目标位置，通过与所述目标位置对应的能量补偿值，对所述目标位置进行曝光能量补偿，以提高所述目标芯片内关键器件性能的均匀性。

2.根据权利要求1所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产之前，所述提高芯片内器件性能均匀性的方法还包括：

确定出所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置；

分别在所述多个目标位置设置所述多个性能测试监控单元，以使所述多个性能测试监控单元与所述多个目标位置一一对应，且针对所述多个性能测试监控单元中的每个性能测试监控单元，所述性能测试监控单元能够应用联合测试行为组织协议，通过晶圆良率测试方法监测自身的电性指标，以表征对应功能关键功能模块的电性参数。

3.根据权利要求1所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，包括：

获取所述目标芯片的原始曝光能量值；

分别通过所述原始曝光能量值，对所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置进行曝光，以实现对所述目标芯片的曝光生产。

4.根据权利要求1所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述根据所述多个关键功能模块的电性参数，获得所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值，包括：

获得目标电性值；

针对所述多个关键功能模块中的每个关键功能模块，获取所述关键功能模块的电性参数与所述目标电性值之间的电性差异值，以获得与所述多个关键功能模块一一对应的多个电性差异值；

针对所述多个关键功能模块中的每个关键功能模块，根据与所述关键功能模块对应的电性差异值，获得所述目标芯片上与所述关键功能模块对应的目标位置的能量补偿值，以获得所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值。

5.根据权利要求4所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述获得目标电性值，包括：

根据所述目标芯片所在待处理晶圆上的所有芯片上，多个关键功能模块的电性参数获得所述目标电性值。

6.根据权利要求5所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述根据所述目标芯片所在待处理晶圆上的所有芯片上，多个关键功能模块的电性参数获得所述目标电性值，包括：

计算出所述目标芯片所在待处理晶圆上的所有目标芯片上，位于同一目标位置的所有关键功能模块的电性参数的均值；

根据与所述多个关键功能模块一一对应的多个均值，获得所述目标电性值。

7.根据权利要求6所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述根据与所述多个关键功能模块一一对应的多个均值，获得所述目标电性值，包括：

从与所述多个关键功能模块一一对应的多个均值中，获取中位数，作为所述目标电性值；

或计算出与所述多个关键功能模块一一对应的多个均值的平均值，作为所述目标电性值。

8.根据权利要求4所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述获取目标电性值，包括：

获取预设固定值，以将所述预设固定值作为所述目标电性值。