[发明专利]一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器

说明书

本发明涉及一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器。本发明的方法包括以下步骤：1)检测功率MOSFET的功率管源漏两端的电压；2)计算出功率MOSFET的功率管的源漏电压差；3)通过内部电流基准输出电流至外部低温漂普通电阻，从而转化为基准电压；4)通过比较基准电压同功率MOSFET的功率管源漏之间的压差，从而判断功率MOSFET的功率管所处状态；5)通过设置不同阻值的电阻，实现对不同功率的功率MOSFET的功率管的控制。本发明具有缩小功率MOSFET控制电路面积的优点。

技术领域

本发明涉及航空、航海和航天等领域，尤其涉及一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器。

背景技术

现有技术中，功率MOSFET(MOS晶体管)是采用很小电阻的电流采样电阻串联在负载端，从而实现对功率管支路的电流监测。采用电流采样电阻虽然可精确测量功率管负载支路的电流大小，进而检测功率，但是在一些需要大功率MOSFET的电路中，需要选择耐受大电流的电流采样电阻，这类采样电阻往往体积过大，通常也需要外加散热器件，造成成品体积过大的缺点。

发明内容

本发明为解决背景技术中存在的上述技术问题，而提供一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器，对功率MOSFET的功率管源漏两端求差，判断外置功率MOSFET的功率管的工作状态，对功率MOSFET进行控制，具有缩小功率MOSFET控制电路面积的优点。

本发明的技术解决方案是：本发明为一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法，其特殊之处在于：该方法包括以下步骤：

1)检测功率MOSFET的功率管源漏两端的电压；

2)计算出功率MOSFET的功率管的源漏电压差；

3)通过内部电流基准输出电流至外部低温漂普通电阻，从而转化为基准电压；

4)通过比较基准电压同功率MOSFET的功率管源漏之间的压差，从而判断功率MOSFET的功率管所处状态；

5)通过设置不同阻值的电阻，实现对不同功率的功率MOSFET的功率管的控制。

优选的，步骤4)中电压差大于阈值时可判断为负载短路，电压差小于阈值时可判断为负载开路。

一种实现上述的外置普通电阻功率MOSFET控制方法的控制器，所述控制器包括功率管，电压源、电荷泵升压电路和逻辑控制单元，电压源、电荷泵升压电路分别接入功率管，逻辑控制单元接电荷泵升压电路，其特殊之处在于：所述控制器还包括电压检测单元、减法器、比较器、固定电流源和控制电阻Rctrl，功率管的源端和漏端通过减法器接入比较器的正输入端，比较器的负输入端接固定电流源和控制电阻Rctrl，比较器的输出端接逻辑控制单元，电压检测单元接逻辑控制单元。

优选的，电压源接入减法器。

本发明提供的外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器，在现有的功率MOSFET控制电路中增加电压检测单元、减法器、比较器、固定电流源和控制电阻Rctrl，通过采样外置功率MOSFET的源漏电压差，并从内部高精度电流源引出电流同外部普通电阻转化为电压，与内部电流基准输出电流在外部普通低温漂电阻上的电压比较，从而判断功率管状态进而控制功率管通断，可以简单的通过更换不同电阻就可以对不同功率MOSFET进行控制，如过压关断，欠压开启，负载短路检测，负载开路检测等。因此本发明具有缩小功率MOSFET控制电路面积的优点。

附图说明

图1为本发明的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明的技术方案做进一步详细描述。

本发明提供了一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法，该方法包括以下步骤：