[发明专利]一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法及控制器

权利要求书

1.一种外置普通电阻功率MOSFET控制方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

1)检测功率MOSFET的功率管源漏两端的电压；

2)计算出功率MOSFET的功率管的源漏电压差；

3)通过内部电流基准输出电流至外部低温漂普通电阻，从而转化为基准电压；

4)通过比较基准电压同功率MOSFET的功率管源漏之间的压差，从而判断功率MOSFET的功率管所处状态；

5)通过设置不同阻值的电阻，实现对不同功率的功率MOSFET的功率管的控制。

2.根据权利要求1所述的外置普通电阻功率MOSFET控制方法，其特征在于：所述步骤4)中电压差大于阈值时可判断为负载短路，电压差小于阈值时可判断为负载开路。

3.一种实现权利要求1所述的外置普通电阻功率MOSFET控制方法的控制器，所述控制器包括功率管，电压源、电荷泵升压电路和逻辑控制单元，所述电压源、电荷泵升压电路分别接入功率管，所述逻辑控制单元接电荷泵升压电路，其特征在于：所述控制器还包括电压检测单元、减法器、比较器、固定电流源和控制电阻Rctrl，所述功率管的源端和漏端通过减法器接入比较器的正输入端，所述比较器的负输入端接固定电流源和控制电阻Rctrl，所述比较器的输出端接逻辑控制单元，所述电压检测单元接逻辑控制单元。

4.根据权利要求3所述的外置普通电阻功率MOSFET控制器，其特征在于：所述电压源接入减法器。