[发明专利]一种金刚石镀膜系统、镀膜方法、终端及可读存储介质

说明书

本发明公开是关于一种金刚石镀膜系统、镀膜方法、终端及可读存储介质，涉及蒸镀设备技术领域，所述金刚石镀膜系统的支架中部两侧固定有连接柱，两个连接柱之间设置有底板；支架顶部设置有连接盘，连接盘上固定有伸缩杆，伸缩杆下端固定有盖体；盖体与底板密闭连接；凸台上设置有保护垫，保护垫上固定有换能器，换能器上侧设置有变幅杆，变幅杆上侧设置有汇流板，汇流板上设置有石墨加热电极，石墨加热电极内设置有微沉积坩埚；石墨加热电极与汇流板之间设置有绝缘绝热板。本发明通过伸缩杆控制盖体的开合，能够保证使用者的安全，同时能够提高工作效率，节省金刚石镀膜的时间；且本发明控制装置设置于第二立柱上，远离微沉积坩埚，进一步保证使用者的安全。

技术领域

本发明公开涉及蒸镀设备技术领域，尤其涉及一种金刚石镀膜系统、镀膜方法、终端及可读存储介质。

背景技术

金刚石镀膜是指在钻石或合成单晶硅或立方氧化锆等表面，镀上厚几微米至几十微米的金刚石薄膜的一种镀膜工艺。目前用于向金刚石表面镀覆金属的装置多为真空微蒸发镀设备。该设备主要由真空泵，与所述真空泵通过管道相连通的扩散泵，以及通过带有阀门的管道与所述扩散泵相连通的镀覆室组成。

真空微蒸发镀覆属于物理气相沉积技术中的一种，是一种通过在密闭环境下的真空升高温度，使镀覆元素粉末升华并达到该镀覆元素的饱和蒸气压，在环境中镀覆元素气体浓度过饱和后凝结于金刚石颗粒上的一种镀覆方法。该镀覆方法镀覆设备简单，成本上较磁控溅射镀覆以及旋转化学镀低，镀覆步骤简便，且最终得到的金刚石颗粒镀覆层较为均匀，孔隙较少，组织生长较密，尽管现阶段的科学技术无法对生长得到的镀覆层进行精确的控制，但是仍可以通过对真空微蒸发镀覆过程中镀覆温度与镀覆时间进行改变，达到对镀覆层的厚度以及化学组成进行一定程度上的控制的目的。

真空镀覆技术中，现有文献一“真空镀膜技术在功能粉体中的应用及产业化展望”，罗志明，利用真空镀膜技术可以实现粉体表面包覆、粉体表面改性以及粉体制备。计算分析了真空镀膜法粉体包覆时粉体粒径与真空镀膜装备设计、工艺参数之间的关系，认为通过倾斜滚动或者中间筛网方法，可实现任何粒径粉体的均匀表面包覆镀膜。利用等离子体辅助气相沉积技术制备了纳微米片碳粉体，利用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、比表面测试仪等分析了该纳微米片碳粉体的组成、结构及比表面积，通过浸渍法加载催化活性物质并测试了其加氢催化性能。随着3D打印、粉末冶金、注射成型等现代粉体加工技术的发展与精度要求的提高，以及高性能功能粉体在油墨、发光、显示、LED、催化、工模具、热学、能源等方面的关键作用，通过真空镀膜技术获得高性能功能粉体越来越多的成为消费电子、航空航天、军工科研等所有材料相关高技术领域关注的热点。

但现有文献一安全性较差，工作效率较低。

为解决工作效率较低现有文献二公开一种“多功能热丝化学气相沉积金刚石涂层制备设备的研制”，刘鲁生，根据国内热丝化学气相沉积金刚石制备设备现状现状，结合HFCVD法制备金刚石薄膜原理，研制多功能热丝化学气相沉积金刚石涂层制备设备。

但现有文献二由于各部分的热量传递不均匀以及混合粉末表面与内部之间的气体流通速率不同会导致镀覆不均匀。

为解决镀覆不均匀，现有文献三提供一种“金刚石薄膜的制备及透射率研究”，西安邮电大学理学院。用磁控溅射法制备金刚石薄膜，研究了工作气压、溅射电流、镀膜时间三个参数对金刚石薄膜透射率的影响。得到最佳工艺参数:工作气压1.3Pa，溅射电流0.4A，镀膜时间2min。镀制的金刚石薄膜可以作为红外元件的保护膜与增透膜。

但现有文献三生成的碳化物层不均匀、镀覆表面不够致密。

现有技术四(CN206580883U)提供一种类金刚石镀膜制备设备，包括：真空腔体、伴热装置、扩散器、流量控制器。但现有技术四镀覆的过程中由于各部分的热量传递不均匀以及混合粉末表面与内部之间的气体流通速率不同会导致镀覆不均匀。