[发明专利]一种金刚石镀膜系统、镀膜方法、终端及可读存储介质

权利要求书

1.一种金刚石镀膜方法，其特征在于，所述金刚石镀膜方法包括：

将待镀膜金刚石颗粒置于真空室内，抽真空至2×10^-3Pa～6×10^-2Pa时，同时加热至90～120℃，使真空室的上层形成水蒸气；

启动高压变压器，当高压变压器的输出电压2500～4500V，电流3～7A时，空气在辉光放电的状况下被电离成等离子，工件经等离子体进行轰击清洗活化时间为3～6min，关闭轰击电源，实现待镀膜金刚石颗粒的清洗活化；

将反应原料加入到沉积坩埚内，通过控制按钮控制伸缩杆下落，直至与底板密闭接触；通过控制按钮控制真空泵使盖体内部处于真空状态；

通过控制按钮使石墨加热电极通电，使沉积坩埚均匀受热，换能器与变幅杆辅助沉积坩埚产生振动，由强碳化物形成的镀覆元素粉末升华并达到所述待镀膜金刚石颗粒的饱和蒸气压；

当沉积坩埚中的由强碳化物形成的镀覆元素气体浓度过饱和后，在经清洗活化处理后的金刚石颗粒表面沉积一层由强碳化物形成元素构成的第一镀层，镀膜时间为30～55s，所述第一镀层的厚度为150～250nm；

通过控制按钮使石墨加热电极通电，使沉积坩埚均匀受热，换能器与变幅杆辅助沉积坩埚产生振动，由抗氧化性较高的碳化物形成的镀覆元素粉末升华并达到所述待镀膜金刚石颗粒的饱和蒸气压；

当沉积坩埚中的由抗氧化性较高的碳化物形成的镀覆元素气体浓度过饱和后，在所述第一镀层上用真空微蒸发加粉末冶金覆盖法沉积一层由抗氧化性较高的碳化物形成元素构成的第二镀层，镀膜时间为20～35s，所述第二镀层的厚度为150～350nm；

所述第二镀层上用电镀的方法镀上一层Ni或Cu构成的第三镀层，镀膜时间为15～35s，所述第三镀层的厚度为50～550μm；

将已镀膜完成的待镀膜金刚石颗粒置于用于膜质老化处理的真空室内，并抽真空，通过若干次反复的快速降温和升温，对镀膜进行老化处理，稳定镀膜；

老化处理结束后，通过液冷源对沉积坩埚温度进行降低，在冷却过程结束之后，利用进气电磁阀连接气罐，并向真空环境通入气体使内部气压与外部相同；气罐中储存不同的气体以对应镀覆环境的需要；

镀膜结束后，测量金刚石镀膜的透射谱或反射谱，将待测速率薄膜镀制在标准基片上，设定镀膜时间为t；

测量镀膜后的标准基片的透射谱或反射谱；

比较测得的透射谱或反射谱，采用多峰分解拟合技术确定镀制待测薄膜前后的峰位，根据峰位的变化量计算出镀膜厚度d，则根据镀膜时间t和镀膜厚度d计算出镀膜速率v。

2.如权利要求1所述的金刚石镀膜方法，其特征在于，所述金刚石镀膜方法为三级抽真空，第一镀层利用滑阀式真空泵抽真空至1000～1200Pa，第二镀层利用罗茨泵抽真空至2～4Pa，第三镀层利用扩散泵抽真空至6×10^-2Pa～5×10^-3Pa；

所述真空室为立式双门真空室。

3.如权利要求1所述的金刚石镀膜方法，其特征在于，所述盖体内部处于真空状态的真空度为4×10^-2～6×10^-2Pa；

所述强碳化物形成元素为Ti或Cr；

所述饱和蒸气压为2～6V，电流为5000～2500A。

4.如权利要求1所述的金刚石镀膜方法，其特征在于，所述抗氧化性较高的碳化物形成元素为W、Mo或Si；

所述通过从外界通入气体对膜质进行快速升温和降温处理，所述通入的气体为氮气或氧气；

快速升温至100℃～150℃，快速降温至60℃。