[发明专利]功率模块及具有其的电子设备、键合金属片的制备方法

说明书

本申请公开了一种功率模块及具有其的电子设备、键合金属片的制备方法，功率模块包括引线框架、芯片和键合金属片，芯片设置于引线框架，芯片和引线框架的第一引脚部通过键合金属片互连，键合金属片的部分覆盖芯片，且芯片被键合金属片所覆盖的部分具有第一引线键合部；其中，键合金属片设有露出第一引线键合部的避让通孔，且第一引线键合部和引线框架的第二引脚部通过穿过避让通孔的第一键合引线互连。本申请提供的功率模块及具有其的电子设备、键合金属片的制备方法，不仅能够实现芯片中被键合金属片所覆盖的第一引线键合部和引线框架的第二引脚部之间引线互连，且无需改变现有的模块封装工艺和封装结构，节约功能模块的设计成本和加工时间。

技术领域

本发明一般涉及半导体技术领域，具体涉及功率模块及具有其的电子设备、键合金属片的制备方法。

背景技术

随着IGBT模块朝向高功率、大电流方向发展，芯片与引线框架之间采用引线键合工艺和铜片键合工艺进行互连。铜片键合工艺为通过键合铜片对芯片和引线框架进行互连，引线键合工艺为通过键合引线对芯片和引线框架进行互连。芯片上的引线键合点设置于芯片上异于被键合铜片所覆盖的区域，以使键合铜片和键合引线之间相互错开。

随着IGBT模块的功能发展需求，需要芯片的部分引线键合点的位置调整到指定位置，如此会出现芯片被键合铜片覆盖的部分存在引线键合点的情况。由于键合铜片与芯片之间留有的间隙小，导致出现被键合铜片覆盖的引线键合点与引线框架之间无法通过正常的引线互连工艺进行互连的问题。

目前，为了解决上述的问题，则需要重新设计IGBT模块的封装工艺和封装结构以使芯片的引线键合点和芯片被键合铜片所覆盖的区域相互错开，如此不仅增加了IGBT模块的加工设计成本，还增加了IGBT模块的加工时间。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种功率模块及具有其的电子设备、键合金属片的制备方法。

第一方面，本申请提供一种功率模块，包括引线框架、芯片和键合金属片，芯片设置于引线框架，芯片和引线框架的第一引脚部通过键合金属片互连，键合金属片的部分覆盖芯片，且芯片被键合金属片所覆盖的部分具有第一引线键合部；

其中，键合金属片设有露出第一引线键合部的避让通孔，且第一引线键合部和引线框架的第二引脚部通过穿过避让通孔的第一键合引线互连。

进一步地，芯片包括位于顶端中部的门极端，第一引线键合部位于门极端，其中第一引脚部和第二引脚部绝缘设置。

进一步地，第一引线键合部的边界位于避让通孔的边界范围内。

进一步地，第一引线键合部的数量为两个以上，避让通孔的数量为两个以上，且每个避让通孔至少露出一个第一引线键合部。

进一步地，避让通孔的形状为多边形、圆形、椭圆形或者不规则形状。

进一步地，键合金属片的材质为铜、铝及其合金中的一种。

进一步地，功率模块为IGBT模块。

第二方面，本申请还提供一种电子设备，包括功率模块。

第三方面，本申请还提供一种键合金属片的制备方法，键合金属片为功率模块的键合金属片，包括：

在键合金属片形成避让通孔，避让通孔用于露出芯片中的第一引线键合部以及供连接第一引线键合部和引线框架的第二引脚的第一键合引线穿过。

进一步地，通过刻蚀工艺在键合金属片上形成避让通孔。