[发明专利]功率模块及具有其的电子设备、键合金属片的制备方法在审
| 申请号： | 202011344612.4 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112530894A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 黄金鑫;黄晓梦;成秀清;石海忠 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司技术研发分公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 李成斌 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 模块 具有 电子设备 金属片 制备 方法 | ||
1.一种功率模块，其特征在于，包括引线框架、芯片和键合金属片，所述芯片设置于所述引线框架，所述芯片和所述引线框架的第一引脚部通过所述键合金属片互连，所述键合金属片的部分覆盖所述芯片，且所述芯片被所述键合金属片所覆盖的部分具有第一引线键合部；
其中，所述键合金属片设有露出所述第一引线键合部的避让通孔，且所述第一引线键合部和所述引线框架的第二引脚部通过穿过所述避让通孔的第一键合引线互连。
2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述芯片包括位于顶端中部的门极端，所述第一引线键合部位于所述门极端，其中所述第一引脚部和所述第二引脚部绝缘设置。
3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一引线键合部的边界位于所述避让通孔的边界范围内。
4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一引线键合部的数量为两个以上，所述避让通孔的数量为两个以上，且每个所述避让通孔至少露出一个所述第一引线键合部。
5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述避让通孔的形状为多边形、圆形、椭圆形或者不规则形状。
6.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述键合金属片的材质为铜、铝及其合金中的一种。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块为IGBT模块。
8.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-7任意一项所述的功率模块。
9.一种键合金属片的制备方法，所述键合金属片为权利要求1-7任意一项所述的功率模块的键合金属片，其特征在于，包括：
在键合金属片形成避让通孔，所述避让通孔用于露出芯片中的第一引线键合部以及供连接所述第一引线键合部和引线框架的第二引脚的第一键合引线穿过。
10.根据权利要求9所述的键合金属片的制备方法，其特征在于，通过刻蚀工艺在所述键合金属片上形成所述避让通孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通富微电子股份有限公司技术研发分公司，未经通富微电子股份有限公司技术研发分公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011344612.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
