[发明专利]一种大尺寸超薄基板上光学滤光片的制备方法

说明书

本发明涉及光学成膜技术领域，尤其是一种大尺寸超薄基板上光学滤光片的制备方法，其特征在于：在滤光片基板的两侧表面同时并行镀制与工艺相对应的涂层，位于两侧的两个涂层的应力满足于可以相互抵消的要求。本发明的优点是：在满足红外截止滤光片分光要求的前提下，可有效解决因镀膜应力导致的基板弯曲:不但镀后基板无翘曲变形，且整个镀膜过程中基板都无变形，提高了整个制程过程中的加工精度；另一方面，也极大地缩短了镀膜的制程时间，简化了工艺流程。

技术领域

本发明涉及光学成膜技术领域，尤其是一种大尺寸超薄基板上光学滤光片的制备方法。

背景技术

滤光片作为指纹识别模组的噪音滤除零件，不可或缺。随着指纹识别模组轻薄化的发展需求，市场对滤光片轻薄化的要求也越发严苛，因为工艺难度，半导体行业芯片加工的原材料硅晶圆不可能无限大，目前工业界最大号的硅晶圆是12英寸，相关设备适配衬最大也是12英寸，一般集中在4英寸、6英寸、8英寸、12英寸，各尺寸有一定比例分布（综合工艺难度与切割效能，8英寸适配设备占比相对偏多 )，为与此匹配对接，滤光片制作环节，也希望加工为相应的尺寸。

滤光片制作完成后，即可进入光刻，压印，切割，贴合等工序，如滤光片有翘曲会导致无法进行精准光刻，压印等工序，造成滤光片质量的下降。

发明内容

本发明的目的是根据上述现有技术的不足，提供了一种大尺寸超薄基板上光学滤光片的制备方法，通过在滤光片基板的两侧同时并行镀膜，在满足红外截止滤光片分光要求的前提下，有效解决因镀膜应力导致的基板弯曲。

本发明目的实现由以下技术方案完成：

一种大尺寸超薄基板上光学滤光片的制备方法，其特征在于：在滤光片基板的两侧表面同时并行镀制与工艺相对应的涂层，位于两侧的两个涂层的应力满足于可以相互抵消的要求。

所述涂层均采用为由若干膜层所构成的膜堆结构，位于所述滤光片基板两侧的所述膜堆结构的厚度相同或相似。

位于所述滤光片基板两侧的所述膜堆结构是以一层为单次的镀膜数量单位同时并行进行镀制的，即同时并行镀制位于滤光片两侧的所述膜堆结构各自的第一层膜层，完成后再同时并行镀制所述膜堆结构各自的第二层膜层，直至完成所述膜堆结构。

当位于所述滤光片基板两侧的所述膜堆结构的相对应膜层的镀制时间之间具有时间差时，镀制时间相对较短的膜层在完成后其对应溅射靶材停止工作，而镀制时间相对较长的膜层继续镀制直至完成。

本发明的优点是：在满足红外截止滤光片分光要求的前提下，可有效解决因镀膜应力导致的基板弯曲：不但镀后基板无翘曲变形，且整个镀膜过程中基板都无变形，提高了整个制程过程中的加工精度；另一方面，也极大地缩短了镀膜的制程时间，简化了工艺流程。

附图说明

图1为现有技术中的制程图；

图2为本发明的制程图；

图3为本发明一实施例的膜厚分布图；

图4为本发明一实施例的膜堆结构示意图；

图5为本发明一实施例的单层膜透过率数据图；

图6为本发明一实施例的样品透过率曲线图。

具体实施方式

以下结合附图通过实施例对本发明特征及其它相关特征作进一步详细说明，以便于同行业技术人员的理解：

如图1-6所示，图中标记分别表示为：基板1、涂层A、涂层B。

实施例：本实施例中大尺寸超薄基板上光学滤光片的制备方法，其可解决现有技术中在滤光片制备过程中涂层的应力使滤光片弯曲的问题，从而提高整个滤光片制程过程中的加工精度。