[发明专利]IGBT功率模块端子压焊方法在审
申请号: | 202011171638.3 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112367772A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 陶少勇;杨幸运;刘磊 | 申请(专利权)人: | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
主分类号: | H05K3/34 | 分类号: | H05K3/34;H05K13/04 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 朱顺利 |
地址: | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 功率 模块 端子 方法 | ||
【权利要求书】:
1.IGBT功率模块端子压焊方法,其特征在于,通过键合焊头吸附端子,键合焊头将端子转移至DBC基板上后,利用超声焊接的方式将端子与DBC基板进行焊接。
2.根据权利要求1所述的IGBT功率模块端子压焊方法,其特征在于,所述键合焊头具有让端子嵌入的安装孔。
3.根据权利要求2所述的IGBT功率模块端子压焊方法,其特征在于,所述键合焊头通过真空吸管与真空发生器连接,真空吸管与所述安装孔连通。
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