[发明专利]包括连接介质和功率半导体部件的功率电子开关装置

权利要求书

1.功率电子开关装置(1)，其包括基板(2)、功率半导体部件(5)和连接装置(3)，所述基板(2)具有绝缘材料体(20)和布置在其上的第一导体轨道(22)和第二导体轨道(24)，所述功率半导体部件(5)导电地连接到第一导体轨道(22)，所述连接装置(3)将所述功率半导体部件(5)连接到基板(2)的第二导体轨道(24)并且在功率半导体部件和第二导体轨道之间的部分中具有弓形路线(36)，其特征在于：第一导体轨道(22)具有凹陷(28)，凹陷(28)具有指定的深度，并且功率半导体部件(5)布置在所述凹陷(28)中。

2.根据权利要求1所述的开关装置，其特征在于：

连接装置(3)实施为结合连接。

3.根据权利要求2所述的开关装置，其特征在于：

所述结合连接是导线结合连接。

4.根据权利要求1所述的开关装置，其特征在于：

连接装置(3)施为薄膜复合材料。

5.根据权利要求4所述的开关装置，其特征在于：

所述薄膜复合材料包括面对基板(2)和功率半导体部件(5)的第一导电薄膜(30)、在薄膜复合材料中跟随的电绝缘薄膜(32)、以及在薄膜复合材料中进一步跟随的第二导电薄膜(34)。

6.根据权利要求4所述的开关装置，其特征在于：

薄膜复合材料的导电薄膜(30，34)的相应厚度在10μm至500μm之间，并且薄膜复合材料的电绝缘薄膜(32)的厚度在2μm至200μm之间。

7.根据权利要求6所述的开关装置，其特征在于：

薄膜复合材料的导电薄膜(30，34)的相应厚度在50μm至250μm之间，并且薄膜复合材料的电绝缘薄膜(32)的厚度在10μm至100μm之间。

8.根据前述权利要求1到7中任一项所述的开关装置，其特征在于：

在每种情况下，在连接装置(3)和第二导体轨道(24)之间的导电连接以及在连接装置(3)和功率半导体部件(5)之间的导电连接彼此独立地实施为力锁定连接或材料结合连接。

9.根据前述权利要求8所述的开关装置，其特征在于：

所述材料结合连接实施为钎焊连接或实施为焊接连接或实施为烧结连接或实施为粘合结合连接。

10.根据前述权利要求9所述的开关装置，其特征在于：

所述焊接连接实施为激光焊接连接。

11.根据权利要求8所述的开关装置，其特征在于：

材料结合连接包括连接介质(50、52、54、240)，其具有所述连接介质的厚度(850、852)。

12.根据权利要求1到7中任一项所述的开关装置，其特征在于：

凹陷(28)的深度(828)的尺寸以这种方式形成，使得如果连接介质(50，52，54)存在的话，其至少是功率半导体部件(5)与连接介质(50，52，54)一起的厚度的一半，连接介质(50，52，54)布置在所述功率半导体部件的主表面上。

13.根据权利要求1到7中任一项所述的开关装置，其特征在于：

凹陷(28)的深度(828)的尺寸以这种方式形成，使得如果连接介质(50，52，54)存在的话，功率半导体部件(5)与连接介质(50，52，54)一起的表面的高度(950)等于基板(2)的第一导体轨道(22)的表面的高度(922)，连接介质(50，52，54)布置在所述功率半导体部件的主表面上。