[发明专利]包括连接介质和功率半导体部件的功率电子开关装置

说明书

提出一种功率电子开关装置，功率电子开关装置包括基板，该基板具有绝缘材料体以及布置在其上的第一和第二导体轨道；功率电子开关装置包括功率半导体部件，该功率半导体部件导电地连接到第一导体轨道；并且功率电子开关装置包括连接装置，该连接装置将所述功率半导体部件连接到基板的第二导体轨道并且在功率半导体部件和第二导体轨道之间的部分中具有弓形路线，其中第一导体轨道具有凹陷，凹陷具有指定的深度，并且功率半导体部件布置在所述凹陷中。

技术领域

本发明描述了一种功率电子开关装置，功率电子开关装置包括基板，该基板具有绝缘材料体以及布置在其上的第一导体轨道和第二导体轨道；功率电子开关装置包括功率半导体部件，该功率半导体部件导电地连接到第一导体轨道；并且功率电子开关装置包括连接装置，该连接装置将所述功率半导体部件连接到基板的第二导体轨道。

背景技术

作为现有技术，DE 10 2007 006 706 A1公开了一种电路布置，电路布置包括基板；布置在所述基板的主表面上的导体轨道；至少一个半导体部件，半导体部件通过其第一主表面布置在第一导体轨道上；以及导电连接装置，导电连接装置与半导体部件的第二主表面的至少一个接触区域连接。在这种情况下，半导体部件与第一导体轨道和/或连接装置的连接实施为压力烧结连接，并且在连接装置与半导体部件的指定的边缘之间布置绝缘材料。

借助于提及的现有技术的知识，本发明是基于提出一种功率电子开关装置的目的，其中改进了连接装置的布置。

发明内容

根据本发明，该目的通过功率电子开关装置来实现，其包括基板、功率半导体部件和连接装置，所述基板具有绝缘材料体和布置在其上的第一导体轨道和第二导体轨道，所述功率半导体部件导电地连接到第一导体轨道，所述连接装置将所述功率半导体部件连接到基板的第二导体轨道并且在功率半导体部件和第二导体轨道之间的部分中具有弓形路线，其中第一导体轨道具有凹陷，凹陷具有指定的深度，并且功率半导体部件布置在所述凹陷中。

可能有利的是，如果连接装置实施为结合连接，特别是导线结合连接。其有利的替代方案是作为薄膜复合材料的实施例，特别地其包括面对基板和功率半导体部件的第一导电薄膜、在薄膜复合材料中跟随的电绝缘薄膜、以及在薄膜复合材料中进一步跟随的第二导电薄膜。在这种情况下，优选的是，薄膜复合材料的导电薄膜的相应厚度在10μm至500μm之间，优选在50μm至250μm之间，并且薄膜复合材料的电绝缘薄膜的厚度在2μm至200μm之间，优选在10μm至100μm之间。

也可能优选的是，如果在每种情况下，在连接装置和第二导体轨道之间的导电连接以及在连接装置和功率半导体部件之间的导电连接彼此独立地实施为力锁定连接或材料结合连接，特别是实施为钎焊连接或实施为焊接连接，特别是实施为激光焊接连接，或实施为烧结连接或实施为粘合结合连接。

在第一有利的配置中，凹陷的深度的尺寸以这种方式形成，使得如果连接介质存在的话，其至少是功率半导体部件与连接介质一起的厚度的一半，连接介质布置在所述功率半导体部件的主表面上。

在第二有利的配置中，凹陷的深度的尺寸以这种方式形成，使得如果连接介质存在的话，功率半导体部件与连接介质一起的表面的高度等于基板的第一导体轨道的表面的高度，连接介质布置在所述功率半导体部件的主表面上。

在第三有利的配置中，凹陷的深度的尺寸以这种方式形成，使得如果连接介质存在的话，功率半导体部件与连接介质一起的表面的高度等于基板的第二导体轨道与布置在那里的连接介质一起的表面的高度，连接介质布置在所述功率半导体部件的主表面上。

可能优选的是，如果连接装置的弓形路线的高度最小为连接装置的厚度的10％，优选最小为连接装置的厚度的25％，特别优选最小为连接装置的厚度的40％。

在这种情况下，则同样优选的是，如果连接装置的弓形路线的高度最大为连接装置的厚度的200％，优选最大为连接装置的厚度的100％，特别优选最大为连接装置的厚度的60％。