[发明专利]一种提高硅基负极材料导电性的合成方法

权利要求书

1.一种提高硅基负极材料导电性的合成方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）硅烷偶联剂、纳米硅颗粒和碳纳米管在溶剂中混合均匀；

（2）将环糊精在水中均质成为粘合剂溶液；

（3）将步骤（1）和步骤（2）得到溶液混合并且通过匀浆程序制成浆料；

（4）将步骤（3）所制备的浆料过振动筛得到浮粉，然后冷冻干燥；

（5）将步骤（4）的冷冻干燥产物烧结得到硅基负极材料；

所述步骤（5）为在空气气氛下，将冷冻干燥后的样品以1～3℃/min的升温速度加热到200℃，低温分解3～5h;自然降温后，取出样品研磨成细粉，然后在保护气氛下以1～3℃/min的升温速度加热到400～800℃，烧结6～10h，降温至室温，二次研磨，过400目筛子得到硅基负极材料。

2.根据权利要求1所述的合成方法，所述的硅烷偶联剂为γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷。

3.根据权利要求1所述的合成方法，所述步骤（1）中的溶剂为醇溶剂、醇水混合溶剂。

4.根据权利要求1所述的合成方法，所述的环糊精为改性β环糊精。

5.根据权利要求1所述的合成方法，所述环糊精添加量为硅基材料质量的10%-20%。

6.根据权利要求1所述的合成方法，所述硅烷偶联剂的添加量为纳米硅颗粒质量的0.001%～0.1%，碳纳米管的添加量为纳米硅颗粒质量的10%～50%。

7.根据权利要求1所述的合成方法，所述步骤（3）的匀浆程序为先800转30秒，再2000转20分钟制得分散均匀的浆料（组分c）。

8.根据权利要求1所述的合成方法，所述步骤（4）为将浆料从400目筛子滤过，滴入到振动筛上的多糖粉末中，重复上述操作直到滴加完毕，将收集到的颗粒表面的浮粉吹去，再转移至冷冻真空干燥箱中，12小时以上。

9.根据权利要求4所述的合成方法，所述环糊精是葡萄糖基-β-环糊精。

10.根据权利要求1-9任意一项所述合成方法所合成的硅基负极材料。