[发明专利]一种网格图形统一尺寸的方法、存储介质及计算机设备

说明书

本发明提供了一种网格图形统一尺寸的方法、存储介质及计算机设备，网格图形统一尺寸的方法包括，选择具有若干个第一宽度图形线和若干个第二宽度图形线的第一目标图形，其中，第一宽度图形线的线宽等于第二宽度图形线的线宽加上图形尺寸精度；根据第一目标图形中图形线的交叉点及第二宽度图形线，将至少一个第二宽度图形线的线宽扩增至第一宽度图形线的线宽。本发明提供的网格图形统一尺寸的方法，根据网格交叉图形的凹凸选择需要调整尺寸的图形线的边线，充分考虑了需要调整尺寸的图形线与同一方向相邻图形线的位置关系，在统一网格线尺寸的同时，能够保证网格图形中的图形线的边线不产生偏移。

技术领域

本发明属于微电子版图数据光学修正领域，尤其涉及一种网格图形统一尺寸的方法、存储介质及计算机设备。

背景技术

现有技术中，大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造，其基本原理为将掩模版上的版图曝光将其成像在涂有光刻胶的硅片上。随着技术的进步，为了生产出更多的产品，缩小产品面积和尺寸已经成为掩模版技术领域的常规方法，然而受到图形尺寸精度的精度限制，当版图中存在相同尺寸重复性的图形时，经过缩小后的目标尺寸可能不一致，比如目标尺寸从144nm缩小90％，缩小后的目标尺寸应为129.6nm，但在OPC精度或图形尺寸精度为0.5nm的情况下，实际得到的缩小后的目标尺寸为130nm或者129.5nm。目标尺寸的不一致会导致后续光学临近效应修正(OPC，Optical Proximity Correction)后的版图不一致，从而引起硅片图形尺寸一致性变差，进而影响后续光刻系统的成品率。其中，光学临近效应修正的原因在于：当集成电路的最小特征尺寸和间距减小到光刻机所用光源的波长以下时，由于光的干涉和衍射，以及显影等问题可能导致曝光在硅片上的图形严重失真，我们称之为光学邻近效应(OPE，Optical proximity effect)失真。这些失真引起的偏差可以达到20％，甚至更高，严重影响产品良率。因此，为了使光刻结果更符合版图的设计，通常采用光学邻近效应校正(OPC，Optical proximity correction)，以减少光学邻近效应对集成电路成品率的影响。

当网格图形目标尺寸存在图形尺寸精度的差异，如图1A所示，a＝b+G，G为所述图形尺寸精度，图中位于圆形虚框左右两边的图形线的边线不在同一水平线上；经过OPC后的网格图形尺寸可能存在不一致，即x≠y，如图1B所示。为了提高OPC后版图的一致性，首先要确保目标图形的一致性。现有技术中，如附图1C所示，对于网格图形中相差所述图形尺寸精度差异的网格图形，图形尺寸统一方法为：输入目标图形，选择尺寸偏小图形尺寸精度的网格图形线，同时向右或向上延伸图形线所述图形尺寸精度大小，得到最终的目标图形，然而，该方法虽然简单易行，却存在以下缺陷：容易导致网格图形边产生格点位移，如附图1D所示，对于图1A中圆形虚框左右两边的图形线的上部边线本来在同一水平线上的情形，偏小一个所述图形尺寸精度的图形线向上扩展之后，相邻的图形边E01和E02不在同一水平线上，也即Y坐标相差图形尺寸精度，最终导致OPC后版图与目标尺寸不一致性，影响产品的良率。可以理解地，在垂直方向上也存在类似的问题。

因此，有必要提供一种网格图形统一尺寸的方法，以解决现有技术中，在统一网格图形线尺寸时，存在的图形边线不一致的问题。

需要说明的是，公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的是提供一种网格图形统一尺寸的方法、存储介质及计算机设备，用以解决现有技术中，在统一网格图形线尺寸时，存在的图形边线不一致的问题。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种网格图形统一尺寸的方法，包括，

选择第一目标图形，其中，所述第一目标图形包括若干个第一宽度图形线和若干个第二宽度图形线，所述第一宽度图形线的线宽和所述第二宽度图形线的线宽满足以下关系式，a＝b+G，a为所述第一宽度图形线的线宽，b为所述第二宽度图形线的线宽，G为图形尺寸精度；