[发明专利]功率放大电路在审
| 申请号： | 202010433189.9 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN112003605A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 本多悠里;播磨史生;户谷光广 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘慧群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 放大 电路 | ||
1.一种功率放大电路，具备：
第1晶体管，在基极输入第1信号，对所述第1信号进行放大，从集电极输出第2信号；和
偏置电路，向所述第1晶体管的基极供给偏置电流，
所述偏置电路包含：
第2晶体管，向所述第1晶体管的基极供给偏置电流；
第3晶体管，基极与所述第2晶体管的基极连接，集电极与所述第2晶体管的集电极连接；和
第4晶体管，基极与所述第3晶体管的发射极连接，集电极与所述第2晶体管的发射极连接，抽出所述偏置电流的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述第4晶体管与所述第1晶体管热耦合。
3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，
所述第4晶体管与形成有所述第1晶体管的矩形区域相邻地配置。
4.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，
所述第4晶体管配置在形成有所述第1晶体管的矩形区域的内部。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的功率放大电路，其中，
所述偏置电路还包含：第5晶体管，基极以及集电极与所述第3晶体管的发射极连接，发射极被接地。
6.根据权利要求5所述的功率放大电路，其中，
所述第5晶体管与所述第1晶体管热耦合。
7.根据权利要求6所述的功率放大电路，其中，
所述第5晶体管与形成有所述第1晶体管的矩形区域相邻地配置。
8.根据权利要求6所述的功率放大电路，其中，
所述第5晶体管配置在形成有所述第1晶体管的矩形区域的内部。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的功率放大电路，其中，
所述偏置电路还包含：电阻器，一端与所述第2晶体管的发射极连接，另一端与所述第4晶体管的集电极连接。
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