[发明专利]功率放大电路

说明书

本发明提供一种抑制了输出信号的时间响应的功率放大器。功率放大电路具备：第1晶体管，在基极输入第1信号，对所述第1信号进行放大，从集电极输出第2信号；和偏置电路，向第1晶体管的基极供给偏置电流，偏置电路包含：第2晶体管，向第1晶体管的基极供给偏置电流；第3晶体管，基极与第2晶体管的基极连接，集电极与第2晶体管的集电极连接；和第4晶体管，基极与第3晶体管的发射极连接，集电极与第2晶体管的发射极连接，抽出偏置电流的至少一部分。

技术领域

本发明涉及功率放大电路。

背景技术

在便携式电话等移动体通信设备中，为了放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency，射频)信号的功率而使用功率放大电路。在功率放大电路中，作为放大元件，使用异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)等双极晶体管。

在双极晶体管中，已知若使基极-发射极间电压恒定地进行驱动，则伴随着温度上升而集电极电流逐渐增加。若由于集电极电流的增加而消耗功率增加，则元件的温度上升，由此，可能产生集电极电流进一步增加这样的正反馈(热失控)。因而，在功率放大电路使用双极晶体管的情况下，要求抑制双极晶体管的热失控。例如，在专利文献1中公开了如下的功率放大电路，即，具备：功率放大器，包含双极晶体管；和偏置电路，向双极晶体管的基极供给偏置电流。偏置电路包含：发射极跟随晶体管，向双极晶体管的基极供给偏置电流；和由二极管构成的偏置电压供给电路，向该发射极跟随晶体管的基极供给偏置电压。包含于偏置电压电路的二极管和双极晶体管热耦合。由此，双极晶体管中的温度分布的均匀性提高。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-112588号公报

在功率放大器(双极晶体管)的输出功率的时间响应波形中，伴随着向作为偏置电路的一部分的发射极跟随晶体管的基极输入的电流的上升，功率放大器(双极晶体管)发热，温度开始上升。如上所述，包含于偏置电路的二极管与功率放大器(双极晶体管)热耦合，因此二极管的温度也同样地逐渐上升。此时，流过二极管的电流也随着温度上升而缓慢地逐渐增加。由此，发射极跟随晶体管的基极电流随着时间而减少，双极晶体管的基极电流也随着时间而缓慢地减少。

在此，如果双极晶体管的电流放大率固定，则集电极电流也随着时间而缓慢地减少。然而，双极晶体管的电流放大率根据温度而劣化。因而，集电极电流与基极电流相比较，急剧地减少。功率放大器的增益与集电极电流成比例。因而，从功率放大器的输出端子获得的输出信号的功率也会随着时间而急剧地减少。

发明内容

发明要解决的课题

本发明是鉴于这样的情况而作的，其目的在于，提供一种抑制了输出信号的时间响应的功率放大器。

用于解决课题的手段

本发明的一个方式涉及的功率放大电路具备：第1晶体管，在基极输入第1信号，对所述第1信号进行放大，从集电极输出第2信号；和偏置电路，向第1晶体管的基极供给偏置电流，偏置电路包含：第2晶体管，向第1晶体管的基极供给偏置电流；第3晶体管，基极与第2晶体管的基极连接，集电极与第2晶体管的集电极连接；和第4晶体管，基极与第3晶体管的发射极连接，集电极与第2晶体管的发射极连接，抽出偏置电流的至少一部分。

发明效果

根据本发明，能够抑制功率放大器的输出信号的时间响应。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式涉及的功率放大电路100A的结构的图。

图2A是示出功率放大电路100A的布局的一例的图。

图2B是示出功率放大电路100A的布局的另一例的图。