[发明专利]一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺

说明书

本发明公开了一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其中步骤依次包括：A.放置芯片：将待加工芯片本身安放于装片基座，从而得到第一待封装体，B.设置搭桥件：搭桥件的凸点式焊头与芯片本身的上表面的源极区域贴合，C.焊接芯片：芯片本身与装片基座形成电气连接，芯片本身的源极区通过搭桥件与第一引脚连接，从而使得源极S与第一引脚形成电气连接，芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚20连接，从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接，D.封装成品：注塑机将芯片本身、装片基座、引脚及搭桥件用塑封料进行注塑包封形成封装保护，有益效果是：实现了高功率器件的生产效率快、接触面大、热阻Rdson数值小、改善气泡空洞及产品质量的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，特别是一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺。

背景技术

目前，大部分的传统器件电气连接都采用导电引线将芯片与对应引脚进行 焊接，对于大电流控制器件，常规采用增加导电线数量、加大线径进行补偿， 但该方案的工作效率低、作业均匀性要求高，而且排布空间受限；还有一些常 规的多引线焊接方式，器件管脚与芯片间采用的是点线式连接，接触面积小和 器件内部热阻大，导致器件温度过高,影响器件的使用寿命，而且容易导致线径 出现疲劳损伤问题引起不良；

其次在部分生产工艺管控中，大部分采用焊料焊接时，由于焊料里面高温 产生的气体未能在焊料冷却固化前完全溢出，导致焊料容易形成气泡空穴或空 洞，并且焊料高温熔融后焊接区四周快速固化，导致焊接区内部容易产生气泡 空穴或空洞。

发明内容

针对上述缺陷，本发明的目的在于提出一种生产效率高，导通电流大、导 热性能好、并且不会出现焊接面积小所导致的热阻Rdson参数大及焊接空洞大 的凸点式搭桥功率器件的封装工艺。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺，步骤依次包括：

A.放置芯片：将待加工芯片本身安放于装片基座，从而得到第一待封装体；

B.设置搭桥件：将搭桥件放置于所述第一待封装体上，所述搭桥件的凸点 式焊头与所述芯片本身的上表面的源极区域贴合；

C.焊接芯片：在所述源极区域点上焊料，高温对所述搭桥件的凸点式焊头 和芯片进行焊接，使得焊料高温浸湿没过所述凸点式焊头的第一小台阶，直至 焊料爬升并覆盖到所述凸点式焊头的第二台阶面，从而形成多阶梯式焊接结构， 从而使得芯片本身与装片基座形成电气连接，芯片本身的源极区通过搭桥件与 第一引脚连接，从而使得源极S与第一引脚形成电气连接，芯片本身的栅极G 通过引线与第三引脚连接，从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接；

D.封装成品：通过注塑机将芯片本身、装片基座、引脚及搭桥件用塑封料 进行注塑包封形成封装保护。

优选地，上述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，所述步骤A还包括如下 步骤：

步骤A1:将待加工芯片本身放置于装片基座对应装载位置前，对焊料进行 长宽和尺寸的调整，并且调整芯片贴装后的焊料尺寸，要求进行正面观察不能 出现芯片本身露角，且侧面观察爬高不能超过芯片本身的一半高度位置，调整 宽度比例值是芯片本身尺寸的1.2-1.5倍。

优选地，上述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，所述步骤B还包括如下 步骤：

步骤B1：芯片本身中心、焊料中心和装片基座的中心，进行加工位调整并 且器件中心点一一对应重合。

优选地，上述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，所述步骤C还包括如下 步骤：

步骤C1:步骤C1:芯片本身上的焊料边缘与装片基座的边缘之间的距离 大于0.5mm。

优选地，上述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，所述步骤C还包括如下 步骤：