[发明专利]一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺

权利要求书

1.一种凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：步骤依次包括：

A.放置芯片：将待加工芯片本身安放于装片基座，从而得到第一待封装体；

B.设置搭桥件：将搭桥件放置于所述第一待封装体上，所述搭桥件的凸点式焊头与所述芯片本身的上表面的源极区域贴合；

C.焊接芯片：在所述源极区域点上焊料，高温对所述搭桥件的凸点式焊头和芯片进行焊接，使得焊料高温浸湿没过所述凸点式焊头的第一小台阶，直至焊料爬升并覆盖到所述凸点式焊头的第二台阶面，从而形成多阶梯式焊接结构，从而使得芯片本身与装片基座形成电气连接，芯片本身的源极区通过搭桥件与第一引脚连接，从而使得源极S与第一引脚形成电气连接，芯片本身的栅极G通过引线与第三引脚连接，从而使得栅极G与第三引脚形成电气连接；

D.封装成品：通过注塑机将芯片本身、装片基座、引脚及搭桥件用塑封料进行注塑包封形成封装保护。

2.根据权利要求1所述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：所述步骤A还包括如下步骤：

步骤A1:将待加工芯片本身放置于装片基座对应装载位置前，对焊料进行长宽和尺寸的调整，并且调整芯片贴装后的焊料尺寸，要求进行正面观察不能出现芯片本身露角，且侧面观察爬高不能超过芯片本身的一半高度位置，调整宽度比例值是芯片本身尺寸的1.2-1.5倍。

3.根据权利要求1所述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：所述步骤B还包括如下步骤：

步骤B1：芯片本身中心、焊料中心和装片基座的中心，进行加工位调整并且器件中心点一一对应重合。

4.根据权利要求1所述凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：所述步骤C还包括如下步骤：

步骤C1:芯片本身上的焊料边缘与装片基座的边缘之间的距离大于0.5mm。

5.根据权利要求1所述的凸点式搭桥功率器件的封装工艺，其特征在于：所述步骤C还包括如下步骤：

步骤C2：凸点式焊头的数量为至少一组以上，第一引脚和芯片本身之间通过搭桥件进行连接搭桥，凸点式焊头设置于搭桥件的桥面下方。

6.一种凸点式封装搭桥功率器件，其特征在于：装片基座、搭桥件、第一引脚焊接区、第二引脚焊接区、若干个第一引脚和若干个第二引脚；

所述装片基座包括底座和装片工位，所述装片工位设置在所述底座的顶部，所述第一引脚设置在所述第一引脚焊接区，所述第二引脚设置在所述第二引脚焊接区，靠近所述底座的顶部边缘处设有第三引脚焊接区，所述第三引脚焊接区设有第三引脚，所述第三引脚通过引线与所述芯片本身的栅极G连接；

所述第一引脚焊接区与所述装片工位之间设有搭桥件，所述搭桥件的输出面设有凸点式焊头；

所述凸点式焊接头包括第一小台阶和第二台阶，所述第二台阶设置在所述搭桥件的输出面，所述第一小台阶设置在所述第二台阶的底部，所述凸点式焊头用于对放置在所述装片工位的芯片本身进行焊接，所述搭桥件用于连接第一引脚和芯片本身上表面的源极S。

7.根据权利要求6所述的凸点式封装搭桥功率器件，其特征在于：所述第一引脚的数量为三个，且三个所述第一引脚均并联在一起，所述第二引脚的数量为四个，且四个所述第二引脚均连接在一起。

8.根据权利要求1所述的凸点式封装搭桥功率器件，其特征在于：所述搭桥件与所述第一引脚焊接区的连接位的形状呈拱桥状。

9.根据权利要求1所述的凸点式封装搭桥功率器件，其特征在于：所述凸点式焊头设有至少两个，所述凸点式焊头与所述搭桥件的边缘之间的距离大于0.5mm。

10.根据权利要求1所述的凸点式封装搭桥功率器件，其特征在于：所述装片工位的形状呈凹陷状。