[发明专利]一种功率晶体管的芯片固定方法及功率晶体管与放大器在审
| 申请号: | 202010296554.6 | 申请日: | 2020-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN111489998A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
| 发明(设计)人: | 袁瑜萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市澜垣半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/52;H01L23/04 |
| 代理公司: | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人: | 刘梅 |
| 地址: | 518107 广东省深圳市光明区凤凰街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率 晶体管 芯片 固定 方法 放大器 | ||
本发明公开了一种功率晶体管的芯片固定方法,所述方法包括以下步骤:选取管壳并进行检验;对选取的所述管壳的底座的内腔、芯片安装位及电极安装位进行测量;选取陶瓷,并根据所述内腔的测量结果进行切割,从而形成与所述内腔对应的圆柱体;根据所述芯片安装位及所述电极安装位的测量结果对所述圆柱体进行切割;将二次切割后的所述圆柱体安装到所述管壳底座的内腔,并在所述电极固定位安装电极,在所述芯片固定位烧结芯片,从而完成所述芯片的固定。本发明可以使芯片烧结时的位置固定,以提升键合后的形貌,且可以准确键合到芯片的PAD区,进而提升键合的成品率,以减少制造成本。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,具体是一种功率晶体管的芯片固定方法及功率晶体管与放大器。
背景技术
随着半导体功率器件的广泛应用和封装产业的蓬勃发展,功率半导体器件日趋朝着大功率、小尺寸的方向发展。其中,功率晶体管是一种垂直导电的双扩散功率器件,具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、热稳定性好等特点,同时,它还具有负的温度系数,没有双极晶体管所谓的二次击穿等,而这些优点使得功率晶体管具有着很好的应用前景。
功率晶体管的好坏取决于键合性能,即用键合丝连接管壳底座的键合区(管壳底座上的两个电极)和芯片的pad区,使信号通过管壳的引脚传输到芯片上来,以进行信号的传输。
现有的键合工序一般有手动键合机和自动键合机两种,其中,手动键合虽然能使管壳底座的键合区和芯片的pad区对准,以提升键合的可靠性,但生产效率和一致性较差,且受到人为因素的影响,而使用自动键合机进行键合,虽然在一定程度上提升了效率,但会由于芯片烧结时的位置不固定,而导致键合后的形貌差,无法准确键合到芯片PAD区的情况,进而导致键合的成品率低,增加了制造成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种功率晶体管的芯片固定方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种功率晶体管的芯片固定方法,包括以下步骤:
1)选取管壳并进行检测:所述管壳为金属管壳;管壳选取后,检验管壳的尺寸和完整度;
2)对选取管壳的管壳底座的内腔、芯片安装位及电极安装位进行测量;
3)制作圆柱体,并根据内腔、芯片安装位、以及电极安装位的尺寸及相对位置对圆柱体进行切割,从而使圆柱体与内腔相匹配且形成与所述芯片安装位对应的芯片固定位,以及与所述电极安装位对应的电极固定位;
4)将圆柱体安装到管壳底座的内腔,并在电极固定位安装电极,在芯片固定位烧结芯片,从而完成芯片的固定。
作为本发明进一步的方案:步骤2)中,对所述管壳的管壳底座的内腔进行测量包括:对所述管壳底座的内腔尺寸进行测量。
作为本发明进一步的方案:步骤2)中,对所述管壳的管壳底座的芯片安装位进行测量包括:对所述管壳底座的芯片安装位的尺寸及所述芯片安装位对应所述管壳底座的相对位置进行测量。
作为本发明进一步的方案:步骤2)中,对所述管壳的管壳底座的电极安装位进行测量包括:对所述管壳底座的电极安装位尺寸及所述电极安装位对应所述管壳底座的相对位置进行测量。
作为本发明进一步的方案:所述选取圆柱体的步骤包括:根据所述内腔的测量结果选取。
作为本发明进一步的方案:所述圆柱体材料为三氧化二铝陶瓷。
本发明实施例还提供了一种功率晶体管,所述功率晶体管中的芯片通过上述的芯片固定方法进行固定。
本发明实施例还提供了一种放大器,所述放大器包括上述的功率晶体管。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市澜垣半导体有限公司,未经深圳市澜垣半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010296554.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





