[发明专利]一种功率晶体管的芯片固定方法及功率晶体管与放大器在审
| 申请号: | 202010296554.6 | 申请日: | 2020-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN111489998A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
| 发明(设计)人: | 袁瑜萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市澜垣半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/52;H01L23/04 |
| 代理公司: | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人: | 刘梅 |
| 地址: | 518107 广东省深圳市光明区凤凰街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率 晶体管 芯片 固定 方法 放大器 | ||
1.一种功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)选取管壳并进行检测:所述管壳为金属管壳;管壳选取后,检验管壳的尺寸和完整度;
2)对选取管壳的管壳底座(1)的内腔(2)、芯片安装位(3)及电极安装位(4)进行测量;
3)制作圆柱体(5),并根据内腔(2)、芯片安装位(3)、以及电极安装位(4)的尺寸及相对位置对圆柱体(5)进行切割,从而使圆柱体(5)与内腔(2)相匹配且形成与所述芯片安装位(3)对应的芯片固定位(7),以及与所述电极安装位(4)对应的电极固定位(6);
4)将圆柱体(5)安装到管壳底座(1)的内腔(2),并在电极固定位(6)安装电极,在芯片固定位(7)烧结芯片,从而完成芯片的固定。
2.根据权利要求1所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,步骤2)中,对所述管壳的管壳底座(1)的内腔(2)进行测量包括:对所述管壳底座(1)的内腔(2)尺寸进行测量。
3.根据权利要求1所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,步骤2)中,对所述管壳的管壳底座(1)的芯片安装位(3)进行测量包括:对所述管壳底座(1)的芯片安装位(3)的尺寸及所述芯片安装位(3)对应所述管壳底座(1)的相对位置进行测量。
4.根据权利要求1所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,步骤2)中,对所述管壳的管壳底座(1)的电极安装位(4)进行测量包括:对所述管壳底座(1)的电极安装位(4)尺寸及所述电极安装位(4)对应所述管壳底座(1)的相对位置进行测量。
5.根据权利要求1-4任一所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,所述选取圆柱体(5)的步骤包括:根据所述内腔(2)的测量结果选取。
6.根据权利要求5所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,所述圆柱体(5)材料为三氧化二铝陶瓷。
7.一种功率晶体管,其特征在于,所述功率晶体管中的芯片通过权利要求1至6任一项所述的芯片固定方法进行固定。
8.一种放大器,其特征在于,所述放大器包括如权利要求7所述的功率晶体管。
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