[发明专利]一种功率晶体管的芯片固定方法及功率晶体管与放大器在审

专利信息
申请号: 202010296554.6 申请日: 2020-04-15
公开(公告)号: CN111489998A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 袁瑜萍 申请(专利权)人: 深圳市澜垣半导体有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/52;H01L23/04
代理公司: 北京专赢专利代理有限公司 11797 代理人: 刘梅
地址: 518107 广东省深圳市光明区凤凰街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 晶体管 芯片 固定 方法 放大器
【权利要求书】:

1.一种功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)选取管壳并进行检测:所述管壳为金属管壳;管壳选取后,检验管壳的尺寸和完整度;

2)对选取管壳的管壳底座(1)的内腔(2)、芯片安装位(3)及电极安装位(4)进行测量;

3)制作圆柱体(5),并根据内腔(2)、芯片安装位(3)、以及电极安装位(4)的尺寸及相对位置对圆柱体(5)进行切割,从而使圆柱体(5)与内腔(2)相匹配且形成与所述芯片安装位(3)对应的芯片固定位(7),以及与所述电极安装位(4)对应的电极固定位(6);

4)将圆柱体(5)安装到管壳底座(1)的内腔(2),并在电极固定位(6)安装电极,在芯片固定位(7)烧结芯片,从而完成芯片的固定。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,步骤2)中,对所述管壳的管壳底座(1)的内腔(2)进行测量包括:对所述管壳底座(1)的内腔(2)尺寸进行测量。

3.根据权利要求1所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,步骤2)中,对所述管壳的管壳底座(1)的芯片安装位(3)进行测量包括:对所述管壳底座(1)的芯片安装位(3)的尺寸及所述芯片安装位(3)对应所述管壳底座(1)的相对位置进行测量。

4.根据权利要求1所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,步骤2)中,对所述管壳的管壳底座(1)的电极安装位(4)进行测量包括:对所述管壳底座(1)的电极安装位(4)尺寸及所述电极安装位(4)对应所述管壳底座(1)的相对位置进行测量。

5.根据权利要求1-4任一所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,所述选取圆柱体(5)的步骤包括:根据所述内腔(2)的测量结果选取。

6.根据权利要求5所述的功率晶体管的芯片固定方法,其特征在于,所述圆柱体(5)材料为三氧化二铝陶瓷。

7.一种功率晶体管,其特征在于,所述功率晶体管中的芯片通过权利要求1至6任一项所述的芯片固定方法进行固定。

8.一种放大器,其特征在于,所述放大器包括如权利要求7所述的功率晶体管。

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