[发明专利]连接组件、功率半导体及适用于功率半导体的连接方法有效
申请号: | 202010228502.5 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN111370381B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 闫鹏修;崔晓;朱贤龙 | 申请(专利权)人: | 广东芯聚能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/60;H01L21/607 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 组件 功率 半导体 适用于 方法 | ||
本发明涉及一种连接组件、功率半导体及适用于功率半导体的连接方法,一种连接组件,所述连接组件用于连接功率半导体中的两个部件,所述连接组件包括:连接线;连接部件,包括前端和后端,所述后端用于与所述功率半导体中的部件连接,所述前端的尺寸小于所述后端的尺寸,且所述前端的尺寸与所述连接线的尺寸相同;固定件,用于将所述连接线的两端分别与两个所述连接部件的前端铆接在一起;所述固定件为由长条形结构弯折而成的包裹所述连接线和所述连接部件的包边。上述连接组件中通过固定件铆接连接线和连接部件更加牢固,连接线不容易脱落,增加了功率半导体在复杂使用环境中连接的可靠性。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种连接组件、功率半导体及适用于功率半导体的连接方法。
背景技术
功率半导体,例如绝缘双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate BipolarTransistor)模块的使用越来越加广泛,绝缘双极型晶体管模块等功率半导体由各种热膨胀系数不同材料封装而成,当承受温度波动时,各层封装材料会产生由热膨胀系数不匹配引起的热应力,从而在功率半导体中造成不可逆转的破坏,最终导致其疲劳失效。其中,键合线脱落属于功率半导体主要的失效方式之一。功率半导体封装模块中的键合线主要用于连接多个不能直接连接的部件,包括用于电子芯片、直接敷铜(DBC,Direct BondedCopper)基板、功率段子、信号端子以及其余基础结构之间的连接。
传统的功率半导体封装中利用键合线连接各部件的主要工艺是回流焊工艺和手工焊锡工艺。但是,对于手工锡焊工艺,在拉力下键合线容易脱落;对于回流焊连接工艺,回流焊的锡膏在温度反复冲击的情况下容易失效,最终会导致键合线脱落。
发明内容
基于此,有必要针对上述问题,提供一种连接组件、功率半导体及适用于功率半导体的连接方法。
一种连接组件,所述连接组件用于连接功率半导体中的两个部件,所述连接组件包括:
连接线;
连接部件,包括前端和后端,所述后端用于与所述功率半导体中的部件连接,所述前端的尺寸小于所述后端的尺寸,且所述前端的尺寸与所述连接线的尺寸相同;以及
固定件,用于将所述连接线的两端分别与两个所述连接部件的前端铆接在一起;所述固定件为由长条形结构弯折而成的包裹所述连接线和所述连接部件的包边。
上述连接组件包括连接线、设置于连接线两端的连接部件以及用于铆接连接线和连接部件的固定件,连接线两端的连接部件分别与功率半导体中的两个部件连接。相对于传统的通过手工焊锡工艺利用键合线连接功率半导体中两个部件的方式,上述连接组件中通过固定件铆接连接线和连接部件更加牢固,增加了功率半导体在复杂使用环境中连接的可靠性;并且,生产过程中不会出现污染物,洁净度高,避免污染物造成的功率半导体电气失效;此外,上述连接组件一致性高,使得功率半导体成品率有所提高。相对于传统的通过回流焊工艺利用键合线连接功率半导体中两个部件的方式,上述连接组件中通过固定件铆接连接线和连接部件使得不容易受温度冲击而引起连接线脱落。
在其中一个实施例中,所述连接线和所述连接部件采用相同的材料。
在其中一个实施例中,所述固定件包括铜带、银带及铝带中的至少一个。
在其中一个实施例中,所述固定件的宽度范围为2mm~6mm。
一种功率半导体,包括:直接敷铜基板、设置于所述直接敷铜基板上的多个电子部件以及如上任一所述的连接组件,所述连接组件用于连接所述直接敷铜基板与所述电子部件或者连接两个所述电子部件。
一种适用于功率半导体的连接方法,包括:
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